第10章 存储器层次结构.docVIP

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  • 2017-02-28 发布于湖北
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第10章 存储器层次结构 一、单项选择题 【例10-1】动态存储器DRAM的刷新原则是( )。 A.各DRAM芯片轮流刷新 B.各DRAM芯片同时刷新,片内逐位刷新 C.各DRAM芯片同时刷新,片内逐字刷新 D.各DRAM芯片同时刷新,片内逐行刷新 【例10-2】某一SRAM芯片,容量为1024×8位,除地址线和电源端外,芯片最少引出线数为( )。 A.16 B.17 C.20 D.21 【例10-3】动态RAM利用( )。 门电路存储信息  B.寄存器存储信息 C.电容存储信息   D.触发器存储信息 【例10-4】利用4片8K×4位存储芯片,可构成容量为( )存储器。   A.32K×16位 B.8K×8位 C.16K×8位 D.16K×16位 【例10-5】下列存储设备中,( )的存取数据速度最快。 A.RAM B.磁盘 C.光盘 D.硬盘 【例10-6】在Cache和主存构成的两级存储体系

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