第一章：绪论学案.ppt

4. 单晶硅生长 直拉法（CZ法） CZ单晶炉 用CZ法拉出的硅锭 区熔法 使用的材料：掺杂好的多晶硅棒 优点： 纯度高 含氧量低 缺点： 硅片直径比直拉的小 掺杂 在拉制单晶时，掺入硼杂质可得到P型单晶硅锭。掺入磷、砷等杂质可得到N型单晶硅锭。 纯单晶硅是绝缘体其电阻率为2.5×105Ω.cm，当掺入百万分之一的磷或砷，则电阻率下降到0.2 Ω.cm，导电能力增强125万倍，这是半导体的神奇之处！ 硅的原子密度：5.0×1022/cm3 5. 硅中的晶体缺陷 位错 层错 6. 硅片制备 硅片的定位边标识 直径200mm及以上的硅片采用定位槽取代定位边 Φ450mm的硅锭及硅单晶片成品 硅片主要技术指标 尺寸（直径、厚度） 晶向 电阻率 平整度 缺陷密度 7. 外延层 本章作 业 §1.1 （书中第一章）： 1.什么叫集成电路？写出 IC 制造的５个步骤 2.集成电路的发展趋势是什么？什么是摩尔定律？ 3.什么是特征尺寸？ §1.3 （书中第四章）： 4. 请描述多晶和单晶 * * * * * 特征尺寸（ Critical Dimension,CD）的概念 特征尺寸是芯片上的最小物理尺寸，是衡量工艺难度 的标志，代表集成电路的工艺水平。 在CMOS技术中，特征尺寸通常指多晶硅栅的线宽 在双极技术中，特征尺寸通常指接触孔的尺寸 加深对微尺度的印象 器件的CD技术节点 45/40nm —2007 32/28nm —2011 22/20nm —2014 16/14nm —2015（TSMC/Intel） 10/7nm — 研发中 摩尔定律： IC 的集成度将每一年半翻一番（即每18个 月增长1倍） （由Intel 公司创始人戈登.摩尔提出） IC 发展的另一些规律： 建立一个芯片厂的造价也是每一年半翻一番。 线条宽度每4 ~ 6 年下降一半。 §1.2 器件技术 本节目录 1. 集成电路分类 2. 无源器件 3. 有源器件 4. 双极型IC和MOS IC优缺点 1. 集成电路分类 2. 无源器件 — 集成电阻、集成电容 用于传输电流 集成电阻结构（金属薄膜、掺杂的Poly） 集成薄膜电阻结构 集成电阻结构（扩散电阻） 集成扩散电阻结构-俯视图及剖面图 晶体管的寄生电阻 集成电容结构（MOS电容） 集成MOS电容结构俯视图及剖面图 集成电容结构（MIM、PIP电容） 晶体管的寄生电容 3. 有源器件 用于控制电流方向，放大信号，并产生复杂电路。 主要的有源器件： 集成二极管 集成双极晶体管 集成MOS晶体管 集成CMOS器件 集成二极管结构 集成NPN双极晶体管结构 — 基于CMOS工艺 集成NPN双极晶体管结构 — 基于双极工艺 集成CMOS器件结构 （包括PMOS和NMOS结构） 集成CMOS器件结构的顶视图 先进的70nm集成CMOS器件结构 CMOS器件的闭锁效应 等效电路图 结构剖面图 4. 双极型IC和MOS IC优缺点 双极型集成电路 中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗较大 CMOS集成电路 速度高、驱动能力低、功耗低、密度高、电源电 压范围宽、输出电压幅度宽、与TTL电平兼容 BICMOS集成电路 集上述两种电路的优点，但工艺复杂，制造成本 高。 §1.3 硅和硅片制备 1. 半导体级硅 西门子工艺提纯装置 2. 晶体结构 晶体的原子排列 内部原子有规则在三维空间重复排列 非晶体原子排列 内部原子排列杂乱无规则 ■ 半导体级硅的纯度99.9999999％（9个9），但其结构是多晶硅结构，不能使用。要经过晶体生长，形成单晶结构才能使用。 晶胞是组成晶 体的最小重复 单元。 硅晶胞 多晶和单晶 多晶硅结构 单晶硅结构 单晶：晶胞在三维空间整齐重复排列，这样的结构叫做单晶。 单晶的原子排列长程有序。 多晶：由大小不等的晶粒组成，而晶粒由晶胞在三维空间整齐重复排列构成，这样的结构叫做多晶。 多晶的原子排列短程有序长程无序。 3. 晶向 晶向的表示法 OA＝m1X＋m2Y＋m3Z 晶向：晶胞在晶体中的方向 晶面 MOS集成电路通常用（100）晶面或100晶向 双极集成电路通常用（111）晶面或111晶向 不同晶向的硅片，它的化学、电学、和机械性质都不同，这会影响最终的器件性能。 例如迁移率，界面态等。 §1.1 半导体产业介绍 排名 企业名称 销售额 （亿美元） 占TOP50（805亿美元） 收入比 1 华为海思 ~ 2 紫光展讯 ~ 3 大唐半导体 ~ 4 北京南瑞智芯微