第1章半导体学案.ppt

第一章 概述 * * 一、集成电路的发展历程 集成电路的由来 摩尔定律之路 二、集成电路的分类 按器件导电类型分类 按器件功能分类 三、集成电路工艺基础 集成电路的材料 集成电路工艺基础 四、集成电路的生产环境 集成电路 集成电路，就是在一块半导体单晶片上，通过一系列特定的加工工艺，制作出许多晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，并按照一定的电路互连关系“组装”起来，封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。这种新型电子器件在体积、重量、耗电、寿命、可靠性和电性能等方面均优于传统的半导体分立元件电路。 1958年，以美国德克萨斯仪器公司的Kilby为首的研究小组研制成第一个集成电路。 摩尔定律 1965年，Intel公司的摩尔（Moore）通过对过去近十年集成电路发展的总结，提出了著名的摩尔定律，即集成电路芯片的集成度每18个月就会扩大一倍，特征尺寸缩小 倍，价格每两年下降一半。 集成电路的发展趋势 特征尺寸越来越小； 晶圆尺寸越来越大； 芯片上的晶体管数越来越多； 时钟频率越来越高； 电源电压越来越低； 布线层数越来越多； 输入/输出（I/O）引脚越来越多。 300/12 300/12 300/12 300/12 200/8 150/6 晶圆直径mm/英寸 0.9~1.2 1.2~1.5 1.2~1.5 1.2~1.8 1.8~2.5 工作电压（V） 16G 4G 1~4G 1G 256M DRAM容量 7~8 7 7 6~7 6 金属布线层次 620 520 430 385 300 50~100 芯片面积（mm2） 2000 1600 1400 1200 750 75 时钟频率（MHz） 0.1 0.13 0.15 0.18 0.25 1 线宽（μm） 200×106 76×106 40×106 21×106 11×106 106~107 晶体管数/芯片 2006 2003 2001 1999 1997 1990 发展阶段主要特征 特征参数 集成电路的分类 1000000000 GSI1000000000 ULSI 300 2000 100000VLSI 100～300 500～2000 1000～100000 LSI 30～100 100～500 100～1000 MSI 30 100 100 SSI 双极 IC MOS IC 模拟集成电路 数字集成电路 类别 按照集成度分类 集成电路的材料 1.半导体 集成电路是制作在半导体衬底材料之上的，而且集成电路中的基本元件也是依据半导体材料的特性制成的： 通过掺入杂质，可以显著改变半导体的导电性能； 当半导体受到外界热刺激时，其导电能力将发生显著变化； 光也可改变半导体的电导率，通常称之为半导体的光电效应。 2.绝缘体 绝缘材料也是不可缺少的，用于元件之间、有源层及导线层之间的绝缘，以实现它们之间的电气隔离；在MOS器件里，栅极与沟道之间的绝缘更是必不可少；充当离子注入及热扩散的掩膜，作为钝化层，保护器件不受外界影响等作用。 集成电路中常用的绝缘材料有二氧化硅、氮氧化硅和氮化硅等。 3.金属 金属材料在集成电路中主要用于形成器件内部的接触以及器件之间的互连线。某些金属和高度掺杂的半导体材料之间可以形成良好的接触，接触面的电阻远小于半导体材料本身的电阻，称为欧姆接触。集成电路中常用的金属材料有铝、金、钨、铜等。 4.多晶硅（Polysilicon） 多晶硅本身是半绝缘的，掺入杂质后可以变为导体。它可以用来制作栅极、源极与漏极（或基区与发射区）的电 极、基本连线，也可以用来制作电阻。 集成电路工艺基础 从晶圆到集成电路成品大约需要经过数百道工序，这些工序可大致分为以下三类： 1、图形转换：通过曝光（Lithography）和刻蚀（Etching），将掩膜版（类似于照相底片）上的图形转移到半导体单晶片上。 2、掺杂：通过扩散（Diffusion）或离子注入（Implantation），将各种杂质按照设计要求，注入到硅晶片的特定位置上，形成晶体管、接触等。 3、制膜：通过氧化或汽相淀积的