《半导体光电子学课件》2.2直接带隙与间接带隙跃迁14.pptVIP

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2017-03-01 发布于浙江
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《半导体光电子学课件》2.2直接带隙与间接带隙跃迁14.ppt

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第二节直接带隙与间接带隙跃迁二.跃迁的K选择定则以上两种跃迁均满足： ①能量守恒 ②动量守恒二.跃迁几率首先确定包括微扰在内的描述能量的哈密顿量和该系统的波函数,再求解薛定谔方程. 三.电子在浅杂质能级和与其相对的能带之间跃迁束缚电子波函数: 四.重掺杂下带-带跃迁当掺杂浓度↑→外层电子的波函数交叠形成杂质能带→进入本征抛物线能带→带尾→带隙变窄→光谱变宽跃迁矩阵元 * * 一.竖直跃迁与非竖直跃迁竖直跃迁：电子跃迁的初态、终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs, Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物。非竖直跃迁：电子跃迁的初态、态终不对应着布里渊区的同一波矢K。Ge、Si中。三.直接带隙跃迁光子的波数很小直接带隙跃迁（竖直跃迁）参与者：光子、电子、空穴跃迁几率大，属一级微扰过程。四.间接带隙跃迁电子跃迁初、终态的值不相等，有声子参与（）有声子参加才满足动量守恒的跃迁称为间接带隙跃迁。有四种量子参与的跃迁