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第五节 半导体的导电性
主要讨论载流子在外加电场下的漂移运动,讨论半
导体的迁移率、电导率随温度和杂质浓度的变化规律。
一、载流的漂移运动、迁移率
1、欧姆定律
I V R /
R ρ L S ρ / 为导体的电阻率,Ω? m (1)
电导率σ ρ 1/
r
E V L | J | 由I /S / 得
r
J E / | σ| 欧姆定律的微分形式 ()1
2、漂移速率和迁移率
电子在电场作用下的运动称为漂移运动,定向运动
的速度称为漂移速度.
nqvI l ?s × ×
J I S 得nqv? / (2)
E J ↑→V ↑→由 式V=↑? E |得| μ 3r ()
μ称为电子的迁移率,表示单位均匀下的电子平均漂
移速度。
(3 )代入(2 )比较(1)
σ nq μ
为电导率和迁移率的关系.
3、半导体的电导率和迁移率
有两种载流子,
r
J J J nq =+ nq E + μ ( μ ) | |
n P n p
比较(1)
σ μ nq μ +nq n p
n型半导体→ σ nq μ n
p型半导体→ σ pqu μ p
本征半导体→σ n μq ( μ + )
i n p
二、载流子的散射
1、 以上讨论的漂移运动以及电导率只是载流子运
动的一个方面。
E ↑→载流子加速↑→V↑→J↑
但|E|一定→J一定→为什么?
根本原因是周期性势场的被破坏,载流子在运动中,由于
晶格热振动或电离杂质及其它因素的影响,不断地遭到散射。
散射→载流子无规则热运动。
电场外力?
?载流子以平均漂移速度漂移。
散射
2、半导体的主要散射机构
?
a. 电离杂质的散射(用散射几率P来描述)
在电离施主或受主周围形成一个库仑势场,这一库仑势场局部地破坏杂质附
近的周期性势场。
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