用igbt替代mosfet.docVIP

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替代深圳市晴轩电子有限公司徐立刚译摘要新型在一些特定的应用上比有更好的性能价格比高压在相对小电流和高频及更高频率的应用中仍有优势除了软开关在大电流和频率小于以下的应用中占主导地位注意与的主要区别之处有助于成功的使用低成本的替代的解决了高压或更高的的两个主要的缺点导通电阻及其对温度的依赖性图所示为与相同芯片面积的相比的导通电阻和它的温度系数都有较大的改善在的时候从图可以看出的最高实际电阻是而相同芯片面积的的最大电阻是室温下其电阻是的倍在度的时候要比的导通电阻低倍这是的第二点重要优势导通压降随温度变

IGBT替代MOSFET Jonathan Dodge, Advanced Power Technology, Bend, USA 深圳市晴轩电子有限公司 徐立刚(译) —————————————————————————————————— 摘 要:新型SMPS IGBT在一些特定的应用上比MOSFET有更好的性能价格比。高压MOSFET在相对小电流和高频(150kHz及更高频率)的应用中仍有优势。除了软开关,IGBT在大电流和频率小于20

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