8.4电荷耦合器件（CCD）.ppt

第8章 光电成像器件 8.1 光电成像器件概述 8.2 真空摄像管 8.3 光电耦合器件 8.4 电荷耦合器件CCD 8.5 电荷耦合摄像器件CCID 8.6 CCD图像传感器市场及应用 8.7 自扫描光电二极管阵列 （6）可用于非接触精密尺寸测量系统。 （7）无像元烧伤、扭曲，不受电磁干扰。 （8）有数字扫描能力。象元的位置可由数字代码确定，便于与计算机结合接口。 8.4 电荷耦合器件（CCD） 线阵CCD：一行，扫描；体积小，价格低；面阵CCD: 整幅图像；直观；价格高，体积大； 面阵CCD芯片 8.4 电荷耦合器件 （CCD） P-Si 输入 栅 输入二极管 输出二极管 输出 栅 SiO2 在ＣＣＤ栅极上施加按一定规律变化、大小超过阈 值的电压，则在半导体表面形成不同深浅的势阱。势阱 用于存储信号电荷，其深度同步于信号电压变化，使阱 内信号电荷沿半导体表面传输，最后从输出二极管送出 视频信号。 8.4 电荷耦合器件 （CCD） 为了实现电荷的定向转移，在CCD的MOS阵列上划分成以几个相邻MOS电荷为一单元的循环结构。一位CCD中含的MOS个数即为CCD的像数。 8.4 电荷耦合器件（CCD） P-Si 输入 栅 输入二极管 输出二极管 输出 栅 SiO2 以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，简 称为N型CCD。而以空穴为信号电荷的CCD称为P型 沟道CCD，简称为P型CCD。由于电子的迁移率远 大于空穴的迁移率，因此N型CCD比P型CCD的工作 频率高得多。 P-Si 输入 栅 输入二极管 输出二极管 输出 栅 SiO2 8.4 电荷耦合器件 （CCD） ＣＣＤ主要由三部分组成：信号输入、电荷转 移、信号输出。 输入部分：将信号电荷引入到ＣＣＤ的第一个转 移栅极下的势阱中，称为电荷注入。 电荷注入的方法主要有两类：光注入和电注入。 8.4.2 ＣＣＤ的工作原理 8.4 电荷耦合器件（CCD） 8.4 电荷耦合器件（CCD） 电注入：用于滤波、延迟线和存储器等。通过输 入二极管给输入栅极施加电压。 光注入：用于摄像机。用光敏元件代替输入二极 管。当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体 内产生电子—空穴对，其多数载流子被栅极电压排 开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷。 （1）电荷存储 8.4 电荷耦合器件（CCD） 8.4 电荷耦合器件（CCD） （1）在栅极加正偏压之前，P型半导体中的空穴（多 子）的分布是均匀的。 （2）加正偏压后，空穴被排斥而产生耗尽区，偏压增 加，耗尽区向内延伸。 （3）当UG＞ Uth时，半导体与绝缘体界面上的电势变 得很高，以致于将半导体内的电子(少子)吸引到 表面，形成一层极薄但电荷浓度很高的反型层。 （4）反型层电荷的存在表明MOS结构存储电荷功能。 8.4 电荷耦合器件 （CCD） （2）电荷耦合 t1时刻φ1是高电平,于是在电极①下形成势阱,并将少数载流子(电子)吸引至聚集在Si-SiO2界面处,而电极②、③却因为加的是低电平,形象地称为垒起阱壁。如图（a）所示。 8.4 电荷耦合器件 （CCD） t2时刻,φ1的高电平有所下降,φ2变为高电平,而φ3仍是低电平。这样在电极②下面势阱最深,且和电极1下面势阱交迭,因此储存在电极①下面势阱中的电荷逐渐扩散漂移到电极②下的势阱区。由于电极③上的低电平无变化,所以仍高筑势垒,势阱里的电荷不能往电极③下扩散和漂移。如图（b）（c）(d)所示。 8.4 电荷耦合器件 （CCD） t3时刻,φ1变为低电平,φ2为高电平,这样电极①下面的势阱完全被撤除而成为阱壁,电荷转移到电极②下的势阱内。由于电极③下仍是阱壁,所以不能继续前进,这样便完成了电荷由电极1下转移到电极2下的一次转移,如图(e)所示。 8.4 电荷耦合器件 （CCD） 上图为64位CCD结构图。每个光敏元（像素）对应有三个相邻的转移栅电极1、2、3,所有电极彼此间隔得足够近,以保证使硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。所有的1电极相连并施加时钟脉冲φ1,所有的2、3也是如此,并施加时钟脉冲φ2、φ3。这三个时钟脉冲在时序上相互交迭,如下图所示。 8.4 电荷耦合器件 （CCD） 8.4 电荷耦合器件 （CCD） 三个时钟脉冲的时序 完成一次转移的过程 8.4 电荷耦合器件 （CCD） （3）电荷的检测（输出） 8.4 电荷耦合器件 （CCD） 电流输出 浮