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プロセスの再現性を得るにはどうすればよいか 基板 + 電子 電子 分子XY ラジカルＸ イオンＹ＋ ① 放電パワー ③ バイアスパワー ②ガス (圧力 p) プロセスを制御する主パラメータは、次の３つ： ① 放電パワー ② 放電圧力 p ③ バイアスパワー しかし、同じパラメータにしても、プロセスは 再現しないことがよくある。 原因の例 ?プラズマ容器や電極の経時変化(汚れて膜が堆積） （プラズマが膜と反応してラジカル組成が変化） ?整合器を代えたとき、電極の先端にかかる電圧が変化 （ＲＦの伝送経路が変わり、正味のプラズマ吸収パワーが変化） 考察と対策 ：電子衝突により、分子XYがラジカルXとイオンY＋を生成。 ：基板上のエッチング等の反応率 R は、ラジカルＸの密度に比例するから、上式（１）より 気相反応 したがって、ラジカルX の生成率 ~ （分子の密度：圧力p）×（電子の密度 ne） ( XY + e 　X + Y++ 2e) 表面反応 （１） （２） プラズマ容器 ここに、比例係数bはバイアス電圧（イオン衝突エネルギー）が大きいほど大きい。 結局、式（２）より、同じ電子密度であれば同じ反応率になるので、 電子密度が同じになるようにパワーを制御すれば再現性が得られる。 プラズマ容器 ディスプレイ ネットワーク アナライザー プラズマ カーリング プローブ カー