6-第四章磁敏传感器讲述.ppt

磁阻元件 磁敏电阻（Magneto resistance）是指利用半导体磁阻效应而制成的可对磁场敏感的元件。 引起电阻变化的原因有两个： 材料的电阻率随磁场的增加而增加，称为磁阻效应； 在磁场的作用下，通过磁敏电阻电流的路径变长，因而电极间电阻值增加，称为几何磁阻效应。 几种磁阻元件 长方形磁阻元件 工作原理：在固体中由于杂质原子和晶格振动，阻碍电子运动，由于这种阻碍的存在，电 子在磁场中走过的路 程增加，电阻率也增大。 科尔宾元件 如图：在圆盘形元件的外圆周边和中心处装上电流电极，将具有这种结构的磁阻元件称为科尔宾元件。载流子的运动路径会因磁场作用而发生弯曲使电阻增大，可以获得最大磁阻效应。 共晶磁阻元件 InSb-NiSb共晶材料的特点是在InSb的晶体中掺杂NiSb，在结晶过程中会析出沿着一定方向排列的细长NiSb针状晶体，针状晶体导电性能好，直径为1μm,长度为100 μm。 NiSb可看成是栅格金属条，起着短路霍尔电势的作用，产生几何形状效应，它是几何形状长宽比L/b＝0.2的扁条状磁阻元件的串连元件。 磁敏二极管 磁敏二极管是一种电阻随磁场的大小和方向均改变的结形二端器件。 结构如图：磁敏二极管是p+-i-n+型，i为本征半导体，长度比载流子扩散长度大数倍，两端分别为高参杂区域。若本征半导体是弱N型，则称为p+-v-n+型,r区为高复合区域，与其相对的一面为低复合区。 工作原理 随着磁场方向和大小的改变，可以产生正、负输出电压的变化量。 磁敏二极管的特性 电流－电压特性（锗磁敏二极管）： 1 输出电压一定，磁场为正时，磁场强度增加，电流减小，磁阻增加，磁场为负时，随着磁场强度向负方向增加，电流增加，磁阻减小。 2 同一磁场下，电流越大，输出电压变化量越大。 磁电特性：输出电压变化量和外加磁场的关系。 单个使用时，正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度。互补使用时，正向特性与反向特性基本对称。磁场增加时，曲线有饱和趋势，在弱磁场下，曲线有很好的线性。 温度特性：在标准测试条件下，输出电压变化量随温度变化的规律，一般元件受温度影响比较大。 温度特性一般用U0和△U温度系数表示。 磁灵敏度 1 恒流作用下，电压相对灵敏度Su： 2 恒压作用下，电流相对灵敏度SI： * * L b d I - I + r v-Ge n+ p+ I p+ n+ H=0 p+ n+ H+ n+ H- 磁敏二极管载流子受磁场影响情况 p+ p+ × ⊙ ○ 1. 磁敏三极管的结构 在弱P型或弱N型本征半导体上用合金法或扩散法形成发射极、基极和集电极。基区较长。基区结构类似磁敏二极管，有高复合速率的r区和本征I区。长基区分为运输基区和复合基区。 磁敏三极管的工作原理和主要特性 (a)结构 ( b)符号 b c e c N+ e H- H+ b I r N+ P+ 当磁敏三极管未受磁场作用时，由于基区 宽度大于载流子有效扩散长度，大部分载 流子通过e-I-b形成基极电流，少数载流子输入到c极。因 而形成基极电流 大于集电极电流 的情况，使β＝ Ic/Ib＜l。 工作原理: N+ N+ e P+ x I r b c y 当受到正向磁场(H+)作用时，由于磁场的作用，洛仑兹力使载流子偏向发射结的一侧，导致集电极电流显著下降，当反向磁场(H-)作用时，在H-的作用下，载流子向集电极一侧偏转，使集电汲电流增大。 N+ N+ e P+ x r b y c I N+ N+ e P+ x I r b c H- y 磁敏三极管工作原理 N+ N+ e P+ x I r b c y H+ N+ N+ e P+ x I r b c H- y N+ N+ e P+ x r b y c I （a） (b) (c) 由此可知、磁敏三极管在正、反向磁场作用下，其集电极电流出现明显变化。这样就可以利用磁敏三极管来测量弱磁场、电流、位移等物理量。