微机原理、汇编语言与接口技术作者韩晓茹ch05存储器及存储体系课案.pptVIP

存储器内部的一般结构 注：存储器的各类引脚与系统总线中的不同信号线相连接。 5.1.2 存储器的分类 本章后续主要讲解半导体类随机访问存储器和只读存储器。 5.1.3 存储器的性能指标 以主存储器为例介绍几个主要的性能指标 存储容量 常用的衡量单位有： 速度 存储周期 衡量单位：us、ms、ns等 存取时间 衡量单位：与上同 带宽 衡量单位：bit/s、B/s等 可靠性 5.2 半导体随机访问存储器 按存储信息的原理分为：静态/动态随机访问存储器。目前主要用于构建主存或者高速缓冲存储器。 5.2.1 静态随机访问存储器(SRAM) 存储信息的原理：双稳态触发器 存储位元结构： 特点： 工作期间信息非易失 信息断电丢失 使用场合： 构造高速缓存 SRAM的读/写时序 典型SRAM存储器 如：1K×4的2114、 8K×8的6264、 32K×8的62256 注意以上内容中“M×N”的意义 SRAM存储器的引脚除了前面提到的外，通常还有片选引脚CS（也有的存储器名称为CE） 设置片选信号的目的？ 内部结构如图5-3 SRAM6264的逻辑符号及引脚介绍 符号图： 分类简要介绍各类引脚 一对片选引脚 5.2.2 动态随机访问存储器（DRAM） 存储信息的原理：电容器电荷原理 存储位元结构较SRAM的简单，因此集成度更高