Charpter3高频小信号放大器讲述.ppt

( ) oe ie fe oe ie ie fe ie i o g g y g p g p g y g p p p p 1 2 2 1 2 2 2 1 2 2 2 2 2 1 (max) max Po 4 4 A = = = ： 故最大功率增益为 3）放大器的通频带 当 和 为定值时（电路定了，其值也定了，带宽增益乘积为常数）决定于 与 ，因此选择管子时应选取 大的，应减少 ，但 也不能取的太小，因为不稳定的电容的影响大。 设 P1、P2 =1 带宽增益乘积为一常数 　　3、 对于宽带而言，要使 　尽量大，因为频带很宽，谐振曲线不稳定是次要的，对于窄带放大器， 　尽量大，使谐振曲线稳定（不会使通频带改变，以至引起频率失真）。 　　2 、为了获得高增益，宽频带，除了选用 　较大的晶体管外，应该尽量减小谐振回路的总电容 　，但是这样会导致系统的稳定性变差。 　　1、当 　 确定，p1和p2不变时， 　只取决于 　和　 的乘积，电容越大，通频带越宽，　 变小。 讨论： 4）单调谐放大器的选择性 　　所以单调谐回路放大器的矩形系数远大于1，故其邻道选择性差，这是单调谐回路放大器的缺点。 4、多级单调谐回路谐振放大器 　　若单级放大器的增益不能满足要求，就可以采用多级级联放大器。级联后的放大器的增益、通频带和选择性都将发生变化。 1）增益 2）通频带 如果多级放大器是由完全相同的单级放大器组成， 则 Am= 根据通频带的定义可以求m级放大器的通频带 　　上面的分析表明: 　　① 为了使总的通频带不变,每级的带宽都要增加为原来的X倍。 　　② 当每级通频带加宽X倍时,每级的增益都会降低为原来的1/X。 3）选择性(以矩形系数为例) 　　结论:单调谐回路特点是电路简单,调试容易,但选择性差,增益和通频带的矛盾比较突出。 例3-1在图中，设工作频率f =30MHz，晶体管的正向传输导纳? y fe ? =58.3ms， gie=1.2ms,Cie=12PF, goe=400 ? s, Coe=9.5pF，回路电感L=1.4 ?H，接入系数P1=1，P2=0.3空载品质因数Q0=100（假设yre=0） 求：1.单级放大器谐振时的电压增益 通频带2? f 0.7， 谐振时回路外接电容C 若R4=10 k?，试计算并比较在回路中并上R4前后的通频带和增益。 分析：根据电压增益表达式 ，应先求出总电导g? 首先将图中的负载画出其等效电路如图所示， 解：因为回路谐振电阻RP=QP?0L=100?6.28?30?106?1.4?10-6?26k? 因此回路总电导g?=Gp+ 若下级采用相同晶体管时，即gie1=gie2=1.2ms 则 =0.0384?10-3+0.4?10-3+(0.3)2?1.2?10-3=0.55?10-3S ② 回路总电容为 故外加电容C应为 ③通频带为 ①电压增益为 ④ 若R4=10k?，则 因此并上电阻R4后增益降低，带宽加宽。 故 而 则 下图表示国产某调幅通信机接收部分所采用的二级中频放大器电路。 4. 谐振放大器电路举例 第一中放级由T1、T2晶体管组成共发-共基级联电路，电源电路采用串馈供电，R6、R10、R11为这两个管子的偏置电阻，R7为负反馈电阻，用来控制和调整中放增益。R8为发射极温度稳定电阻。R12、C6为本级中放的去耦电路，防止中频信号电流通过公共电源引起不必要的反馈。变压器T r1和电容C7、C8组成单调谐回路。 C4C5为中频旁路电容。人工增益控制电压通过R9加至T1发射极，改变控制电压（-8V)可改变本级直流工作状态，达到增益控制的目的。 耦合电容C3至T1的基极之间加接的680欧姆电阻是防止可能产生的寄生振荡。 第二中放级由T3、T4晶体管组成共发-共基级联电路，和第一级相同，仅回路上多了并联电阻，即R19、R20的串联值，电阻R19和热敏电阻R20串联后作低温补偿，使低温时灵敏度不降低。 3-1 一单调谐回路放大器如图， 已知：N12=5匝，N23=5匝，N45=5匝，晶体管的 =40mS，回路通频带为12kHz， 1) 画出高频交流等效电路，并计算Av0； 2) 若不并联R4，求Avo ， ，并说明R4的作用； 3) 不采用R4，若采用中和法使其稳定工作，问中和电容应如何接入？ 接入系数 求： (2) 不并联R4，则 并联R4后，使损耗增大， 值降低，通频带加宽，放大器增益降低，但可使放大器工作稳定性提高。 (3) 假设中和电容为CN，应如图所示接入