* 半导体中电子的平均速度 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 * 半导体中电子的加速度 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 * 半导体中电子的加速度 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 * 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、GaAs的能带结构 小结 有效质量的意义 * m* 的特点 1.决定于材料 2.与能带的宽窄有关 内层:带窄, 小,m*大: 外层:带宽, 大,m*小. 外层电子,在外力作用下可以获得较大的加速度。 0, m*0。 0, m*0。 能带底, 电子的m*0; 能带顶, 电子的m*0; 3.m*有正负之分 当E(k)曲线开口向上时, 当E(k)曲线开口向下时, 有效质量 半导体的晶格结构和结合性质 半导体中的电子状态和能带 半导体中电子的运动 有效质量 本征半导体的导电机构 空穴 Si、Ge、
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