数字电子技术及应用刘淑英第八章课件教学.pptVIP

第八章 半导体存储器和 可编程序序逻辑器件 目标 在这一章里，你将学习： 8.1 只读存储器(ROM) 8.2 随机存储器(RAM) 8.3 可编程序逻辑器件PLD 内容提要： 本章主要介绍存储器、ROM和RAM的概念及分类；ROM和RAM的电路结构，存储单元；可编程序器件PLD的概念、表示方法和分类，PAL、GAL的结构。 8.1 只读存储器(ROM) 存储器是用来储存程序和数据等信息的部件。按照其读写功能的不同，半导体存储器可分为只读存储器(ROM)和随机存储器(RAM，也称为读写存储器)。 只读存储器ROM一般用来存放固定信息，不能随意修改。 根据制造工艺的不同，ROM分为二极管ROM、双极型ROM和MOS型ROM三种。根据编程方法的不同，ROM可分为固定ROM和可编程序ROM。 8.1.1 固定ROM 固定ROM在制造时，采用掩模技术把数据写入存储器，因此，固定ROM又称为掩模ROM，一旦ROM制造成功，其数据也就固定不变。 ROM的结构图如图8-1所示，它由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三个部分组成。 一个22×4位二极管ROM的电路如图8-2所示。 称为地址线， 称为字线， 称为位线。 在二极管ROM电路图中，如果用晶体管或者MOS管来代替存储矩阵电路中的二极管，就变成了晶体管ROM电路或者MOS管ROM电路。 8.1.2 一次可编程ROM 固定ROM采用掩模技术，其数据固定，不能修改。为了能自己修改ROM中的数据，出现了可编程序ROM（PROM）。 PROM只能进行一次编程，也就是说，其修改是破坏性的。 8.1.３ 光电可擦除可编程序ROM 为了能多次改写ROM所存储的内容，又出现了可擦除可编程只读存储器，也称为EPROM。 N沟道MOS管也称为SIMOS管，EPROM就是利用这种SIMOS管来代替PROM的熔丝(或者PN结)做成的。 8.2 随机存储器 随机存储器RAM，也称为读写存储器，工作时它能够从任意存储单元里读出数据，也能将数据写入到任意选中的存储单元。停电后，RAM里存储的所有信息都将丢失，所以RAM是易失性存储器。 按照工作方式的不同，RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两种。按照所使用器件的不同，RAM又分为双极型RAM和MOS型RAM两种。 8.2.1 RAM的基本结构 RAM的基本结构图如图8-5所示： 1．存储矩阵 存储矩阵由许多存储单元构成，存储单元通常排成矩阵的形式，每个存储单元存放１位二进制数据。存储器以字为单位组织内部结构，一个字含有若干个存储单元，１个字所包含存储单元的个数称为字长，存储器的字长也叫存储器的位数。字数与字长的乘积叫做存储器的容量，存储器的容量越大，存储的信息就越多。 2．地址译码器 存储器是以字为单位进行访问，为了区分不同的字单元，将每一个字单元赋一个代号，称为地址。 地址译码器的作用是将输入的地址译成相应的控制信号，这些控制信号通过输出缓冲器访问存储矩阵中的存储单元。RAM译码器一般采用两级译码，即行地址译码器和列地址译码器。 3．输入／输出控制电路 输入/输出控制电路用来对电路的工作状态进行控制，其电路图如下： 8.2.2 RAM的存储单元 1．六管静态存储单元 六管静态存储单元(SRAM)的电路如下图： 2．单管动态存储单元 单管动态存储单元(DRAM)的电路如下图： 8.2.3 集成RAM介绍 1．常见的集成SRAM芯片有: 1K×4位,如Intel 2114；2K×8位,如Intel 2118,6116；4K×8位,如Intel 6132,6232；8K×8位,如Intel 6164,6264,3264,7164；32K×8位,如Intel 61256, 62256,71256；64K×8位,如Intel 64C512,74512等 ２．常见的集成DRAM芯片有: 8K×8位，如Intel 2186/2187；16K×1位, 如Intel 2116；64K×1位，如Intel 2164，4564；256K×1位，256K×4位，1M×1位， 1M×4位，4M×1位等。 8.3 可编程序逻辑器件PLD 任何复杂的数字系统，都可以用大量的通用型器件(数字集成块)来组成，但其设计工作很复杂，调试维修困难，设计周期长，功耗大，成本高，可靠性差。可编程序逻辑器件PLD的出现很好地解决了这个问题，可编程序逻辑器件及其软件的出现使可编程序设计工作变得非常容易，复杂的数字系统可以