模拟电子技术习答题案.docVIP

第一章半导体器件 1、选择填空 （1）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型 半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 4）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 C 。 A. ISeU B. C. （5）稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （6）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C A. 83 B. 91 C. 100 7）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 A. 两者均反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 两者均正偏 （8）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 分析：二极管在外加正偏电压时是导通，外加反偏电压时截止。正偏时硅管的导通压降为0.6～0.8V。锗管的导通压降为0.2～0.3V。理想情况分析时正向导通压降为零，相当于短路；反偏时由于反向电流很小，理想情况下认为截止电阻无穷大，相当于开路。分析二极管在电路中的工作状态的基本方法为“开路法”，即：先假设二极管所在支路断开，然后计算二极管的阳极（P端）与阴极（N端）的电位差。若该电位差大于二极管的导通压降，该二极管处于正偏而导通，其二端的电压为二极管的导通压降；如果该电位差小于导通压降，该二极管 5、将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。 8、两个硅稳压管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 把两者串联时可以得到几种稳压值？把两者并联时又如何？提示：每个管子都可以有正向接法和反向接法，前者两端电压为0.7V，后者两端电压为Uz 解：稳压管实际上是特殊制造的二极管。反向击穿时，它两端的反向电压就是稳压电压。在正向电压下工作时，它两端的正向电压任为0.7V（指硅）。所以，若把两个稳压管串联，由于有四种接法（每个管子可以正向或者反向接），因此可得四种稳压值，它们是：15 V ，6.7 V ，9.7 V ，1.4 V. 若把两个稳压管并联，则可得稳压值为：6 V ，0.7 V。 10、 在电路中测得晶体管各电极对电位参考点的直流电压如下，试确定它们各为哪个电极，晶体管是NPN还是PNP型？ A管：Ux=12V,Uy=11.7V,Uz=6V; B管:Ux=-5.2v,Uy=-1V,Uz=-5.5V. 分析：工作在放大电路中的三极管应满足发射结正偏，集电结反偏的条件。且有PN节正偏特性可知，其正偏结电压不会太大。硅管的～，锗管的～。所以首先找出电位差在0.1～0.3V或0.5～0.7V的两个电极，则其中必定一个为发射极 一个为基极，另一个电位相差较大的必定为集电 极。由PN结反偏特性可知，若集电极电位最高，则该管必定为NPN型三极管；若集电极电位最低，则该管必定为PNP型三极管。若为NPN型三极管，则发射极电位必定为最低电位；若为PNP型三极管，则发射极电位必定为最高电位。由此即可确定发射极。电位值处于中间的一个电极必定为基极。由此可知： 解：A管为PNP型锗管，x-发射极，y-基极，z-集电极。 B管为NPN型锗管，x-基极，y-集电极，z-发射极 解：根据限流电阻的作用，应有： Rmin(UImax-Uz)/(Izmax+Iomin) =(UImax-Uz)/(Izmax+Uz/RLmax) =(16-6)/(40+10)=0.18K? Rmax(UImin-Uz)/(Izmin-Iomax) =(UImin-Uz)/(Izmin+ Uz/RLmix) =(13-6)/(5+20) =0.28 K? ∴R必须满足：0.18K?〈R〈0.28 K? 选R=220?