笔记本三代内存测槽试点.docVIP

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2017-03-05 发布于上海
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笔记本三代内存测槽试点.doc

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笔记本三代内存测槽试点

笔记本三代内存（槽）测试点 A.电压： (5种) +1.5V（+1.5V_SUS） +1.5V 75、76、81、82PIN +0.75V(0.75V_DDR_VTT) +0.75V 203、204PIN +SMDDR_VREF_DQ0 +0.75V 1PIN +SMDDR_VREF_DIMM0 +0.75V 126PIN +3.3V (+3.3V_RUN) +3.3V 199PIN B.关键信号： 200pin：SMBDATA +3V 1.240 202pin：SMBCLK +3V 1.240 30pin：DDR3_DRAMRST# 198pin：PM_EXTTS#0 注：SMBDATA和SMBCLK信号线上的两个开关MOS管较易损坏，引起内存无法识别。现象是：跑代码不过内存，内存排阻上无波形跳变。（自检不过内存）以上信号名称在不同图纸中会有不同标示，但电压值都是一样。以上是参考DELL的图纸。