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- 2017-03-05 发布于重庆
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传感器与测控电路课程设计---自动调光台灯控制电路设计
传感器与测控电路课程设计
设计课题:自动调光台灯控制电路设计
指导老师:
单位:湖南科技大学机电工程学院
作者:
班级:07级测控一班
学号:0703030128
设计时间:2010年6月
目 录
设计题目与要求……………………………………2
基本原理简述………………………………………2
设计总体方案拟定…………………………………8
传感器的结构设计及计算…………………………8
测控电路设计与计算………………………………9
精度误差分析 ……………………………………11
抗干扰措施 ………………………………………11
参考文献 …………………………………………12
附录 ………………………………………………13
一、设计题目与要求
设计课题:用光敏电阻制作一个自动调光台灯。使台灯的亮度根据周围环境照度自动调节,当周围环境照度较弱,亮度增大,反之则较小。
基本要求:
工作在常温、常压、静态、环境良好;
精度:0.1%FS;
分辨率:按参考文献上常用传感器类比;
测量范围:按参考文献上常用传感器类比;
传感器及其辅助结构设计(传感器结构简图1张);
电路设计(控制流程图1张;硬件电路及分析,系统电路图1张)。
二、基本原理简述
1、光传感器
检测光的传感器称为光传感器,通常是指将光信号转换为电信号的一种传感器。用光电传感器进行非电量的测量时,只需将非电量信号转化成为光信号即可。由于光传感器都具有结构简单、非接触性、可靠性高、反应快等优点,在军用及民用中极为广泛,因此,其种类繁多,常用的光传感器包括:光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、红外线传感器、光电耦合器件、电荷耦合器件、颜色传感器、光纤传感器、紫外线和放射线传感器等多种。
图1 光电式传感器的组成
光传感器的物理基础是光电效应。光电效应通常分为内光电效应、外光电效应和光生伏特效应。
光敏电阻主要是根据敏感材料CdS、CdSe的内光电效应(光电导效应:高电阻率半导体受光照吸收光子能量后,产生电阻率降低而易于导电的现象)制成的。是一种物质半导体充电器件,它具有灵敏度高、光谱响应范围宽、体积小、重量轻、机械强度高,耐冲击、耐振动、抗过载能力强和寿命长等特点。
内光电效应的物理过程是:光照射到半导体材料上,材料中处于价带的电子吸收光子能量,越过禁带跃入导带,从而形成自由电子,与此同时价带也会相应地形成自由空穴,即激发出电子—空穴对,从而使导电性能增强,光线越强,阻值越低。
如图2所示,为了使电子能从键合状态过渡到自由状态,即实现能级的跃迁,入射光的能量必须大于光电材料的禁带宽度Eg,亦即入射光的频率应高于由Eg决定的红限频率。
式中,h为普朗克常数,、分别为入射光的频率和波长。
图2 半导体能带图及内光电效应
图3 光敏电阻工作原理图
图4 光敏电阻结构图
光敏电阻的基本特性包括伏安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。
(1)伏安特性:一定光照下,加在光敏电阻两端的电压和光电流之间的关系曲线。
光照特性:在一定外加电压下,光敏电阻的光电流I与光通量之间的关系特性曲线。图5 光敏电阻的伏安特性 图6 光敏电阻的光照特性
光电灵敏度:单位光通量入射时能输出的光电流的大小,即。光照不同,灵敏度也发生变化。光照增大,灵敏度下降。最大灵敏度是在光敏电阻上加以最大电压时,光电流Im与光通量之比值。相对灵敏度是指在单位外加电压下,入射单位光通量时对应的光电流输出,即K=r/V=I/(V)
(3)光谱特性:光敏电阻对于不同波长的光,其灵敏度不同。
图7 光敏电阻的光谱特性
(4)频率特性:光敏电阻具有延时特性,当光敏电阻受到脉冲光照射时,光电流要经过一段时间才能达到稳定值,而在停止光照后,光电流也不会马上为零。不同材料的延时特性不同,它们的频率特性也不同。图1.8为相对灵敏度与光强变化频率之间的关系曲线。
图8 光敏电阻的频率特性
(5)光谱温度特性:随着温度变化,光敏电阻的暗电阻和亮电阻都会发生变化,光敏电阻受温度影响大,光谱特性也受到影响。
2、滤波和信号转换电路
测量系统从传感器拾取的信号中,往往包含噪声和许多与被测量无关的信号,并且原始的测量信号经传输、放大、变换、运算及各种其他处理过程,也会混入各种不同形式的噪声,从而影响测量精度。滤波器是具有频率选择作用的电路或运算处理系统,当信号与噪声分布在同频带中时,可以从频率域实现信号分离。在实际测量系统中,噪声与信号的频带往往有一定的重
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