layout中的几种失效机制概要.ppt

单个衬底电流注入源和单个衬底接触 保护措施 尽量减少向衬底注入电流； 增大衬底接触面积，以减少纵向电阻； 4.4.2少子注入 隔离结依赖反偏来阻挡电流流动，耗尽区建立电场是用来排斥多子，但是却不能排斥少子，如果所有隔离结都正偏，就会想隔离区注入少子。 4.4.2少子注入 诱发闩锁效应。它是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。 4.4.2少子注入 诱发闩锁效应有两种： 一种是：NMOS管的源极电位被拉到地电位一下，少子将注入到衬底里面，QN被开启，接着QP也开启，闩锁效应被激发。 另一种是：PMOS管的源极电位被拉到N阱以上；少子将注入到N阱里面，QP被开启，接着QN也开启，闩锁效应被激发。 保护措施（衬底注入） 消除引起问起的正偏结； 增大器件间距； 增大掺杂浓度； 提供替代的集电极来消除少子。 保护措施（衬底注入） 通常采用做隔离环的方式吸收少子； 一、在P型区收集少子电子的收集电子保护环； 二、在N型区收集少子空穴的收集空穴保护环。 T1 T2 T3 保护环所屏蔽的 敏感模拟电路 代表性的两种收集电子保护环的剖面图 保护措施（交叉注入） 少子保护环可以防止一个器件注入空穴干扰同一隔离岛或阱中的其他器件，这种干扰成为交叉注入。 同一隔离岛内的两个或多个晶体管彼此之间可能受到影响。 保护措施（交叉注入） P型棒 保护措施（交叉注入） N型棒 4.4.3衬底效应 在介质隔离工艺中存在一个由衬底、BOX和表面硅组成的寄生mos管。 衬底和表面硅之间的电位差产生了可以是表面硅底部耗尽或增强电场——衬底效应。 保护措施 一、去除晶圆背面氧化层； 二、将芯片与线框相连； 三、将芯片的焊盘与管脚相连； 向下键合 熔丝线框 退出 电子科技大学成都学院 保护措施 常见的保护措施有： 一、跳线法。 保护措施 二、添加“天线”器件；给“天线”加上反偏二极管。通过给直接连接到栅的存在天线效应的金属层接上反偏二极管，形成一个电荷泄放回路，累积电荷就对栅氧构不成威胁，从而消除了天线效应。 三、插入缓冲器，切断长线来消除天线效应。 授课内容 玷污 干法腐蚀 可动离子玷污 电子科技大学成都学院 4.2玷污 是由于芯片在制造过程中，或是在使用中，被污染物污染，或是沿着金属管脚与塑封的界面渗入污染芯片。 4.2.1干法腐蚀 在潮湿的环境中，铝金属系统被离子污染物腐蚀（磷酸、卤素离子等）。 最终导致电路开路失效。 保护措施 添加电路保护层； 减少保护层中开孔 的数目和大小。 4.2.2可动离子玷污 大多数污染物在室温中被束缚在氧化物大分子中无法移动，但是碱金属在室温中可以在二氧化硅中自由移动，称为可动离子玷污，钠离子就是其中之一。 影响：可动离子玷污使得器件的阈值电压缓慢漂移，最终导致电路参数超过限定值，会引起器件长期失效。 4.2.2可动离子玷污 保护措施 减小在芯片制造过程中带入的污染物； 使用掺磷的多晶硅栅； 使用氮化硅或者是掺磷玻璃构成的保护层； 减少保护层开孔； 使用足量的划封。 授课内容 表面效应 热载流子注入 雪崩诱发?衰减 齐纳蠕变 寄生沟道和电荷分散 电子科技大学成都学院 4.3 表面效应 具有高强度的表面区域会向上的氧化层注入热载流子。表面电场还能诱生寄生沟道。这两种都发生在硅与氧化层之间的界面，因此统称为表面效应。 4.3.1热载流子注入 原因：由于硅表面有强电场，强电场产生热载流子具有足够能量进入氧化层，这种机制成为热载流子注入。 热载流子注入的影响 热载流子注入会导致阈值电压逐渐减少，这种阈值漂移减少了增强型NMOS晶体管的阈值电压，但是增大了增强型PMOS晶体管的阈值电压。 保护措施 重新设计受影响的期间； 选择器件的工作条件； 改变器件的尺寸减少阈值电压漂移。 对偏压器件在200—400°C烘烤可复原。 4.3.2齐纳蠕变 原因：雪崩产生的部分热载流子注入到氧化物中，破坏硅-氢键，重新生产氧化层固定电荷。 保护措施 使用掩埋齐纳管； 使用场板。 4.3.5寄生沟道和电荷分散 由于硅表面可能诱生寄生沟道，比如两个扩散区之间，两个阱之间等，都可能引起寄生沟道，即使很小的电流电路参数的偏移。 4.3.5寄生沟道和电荷分散 诱发沟道不仅只有导体下面才能，当有了合适的源区和漏区时，即使没有导体当栅极，沟道同样也能诱发，那么这种潜在的机制称为电荷分散。 静态电荷存在于绝缘界面，它们可以沿着绝缘体表面或是沿着两种不同的绝缘体之间的界面积累。有电场的情况下会在电场的作用下缓慢移动。 4.3.5寄生沟道和电荷分散 寄生沟道和电荷分散 在CMOS工艺和标准双极工艺中，由于制造工艺等原因，标准双极工艺比CMOS工艺更容易受到影响。 保护措施 标准双极工艺 由于电荷分