现代电子技术作者龚建荣殷晓莹第5章光电子技术课件教学.pptVIP

第5章 光电子技术 5.1 固体的光吸收 5.1.1 光吸收 5.1.2 光吸收过程 5.1.3 电子—空穴对产生速率 5.1.1 光吸收 5.2 pn结光生伏特效应和太阳能电池 5.2.1 基本原理 5.2.2 光电池的I-V特性 5.2.3 太阳能电池的光电转换效率 5.2.4 非均匀吸收效应 5.2.5 新结构Si太阳能电池 5.2.6 异质结肖特基势垒和MIS太阳能电池 5.2.7 薄膜太阳能电池 5.2.3 太阳能电池的光电转换效率 5.2.7 薄膜太阳能电池 5.3 非增益型半导体光电探测器 5.3.1 基本原理 5.3.2 主要参数 5.3.3 PIN光电二极管 5.3.4 肖特基势垒光电二极管 5.3.5 光电导探测器件 5.3.1 基本原理 5.3.2 主要参数 5.4 增益型和异质结半导体光电探测器 5.4.1 雪崩光电二极管 5.4.2 异质结的窗口效应和光限制作用，异质结光电二极管 5.4.3 异质结雪崩光电二极管 5.4.4 光晶体管 5.4.1 雪崩光电二极管 5.4.4 光晶体管 5.5 固体的光发射 5.5.1 发光过程中的激发 5.5.2 基本跃迁类型 5.5.3 发光效率 5.5.4 材料 5.5.1 发光过程中的激发 5.5.4 材料 5.6 发光二极管 5.6.1 发光效率与量子效率 5.6.2 LED材料 5.6.3 LED的结构和性能 5.6.4 LED的应用 5.6.1 发光效率与量子效率 5.6.2 LED材料 5.6.3 LED的结构和性能 5.6.4 LED的应用 5.7 半导体激光器 5.7.1 半导体受激光发射的产生 5.7.2 半导体激光器的主要特性 5.7.3 异质结激光器 5.7.4 分布反馈式半导体激光器 5.7.5 新型器件 5.7.2 半导体激光器的主要特性 5.7.3 异质结激光器 5.7.4 分布反馈式半导体激光器 5.7.5 新型器件 激光器发射的激光在谐振腔内形成驻波。 当发射的激光达到稳定时，谐振腔内的光强呈稳定分布。 光强在谐振腔内的稳定分布称为激光模式。 随着电流密度的增加，当达到阈值时，GaAs激光器的发射光谱急剧变窄，谱线中心强度急剧增加，形成激光。 （3）模式与光谱分布 图5-58 GaAs激光器的发射光谱 （1）单异质结激光器 最简单的异质结激光器是SH结构，在n型GaAs衬底上外延生长一层p型GaAs，然后再在其上生长一层?-AlxGa1-xAs，一般x为0.3～0.5。由于一侧是异质结，所以称之为单异质结。 图5-59 AlxGa1-xAs的折射率n与组分x的关系 图5-39 在介质界面处的入射、反射和透射光子 （a）GaP LED的 -NA （b）GaAs LED的 -x（结深） 图5-40 函数 图5-41 GaAs1-xPx LED发光效率与组分x的关系 图5-41表示掺氮与不掺氮的GaAsP LED发光效率的比较。 引起射出光子数减少的损耗机制主要为以下3个方面。 GaAs衬底上制作的LED吸收损耗较大。因为衬底是不透明的，结区发出的光子有85%被吸收。 而GaP为衬底的LED，能把光子反射到出射表面，只有25%被吸收，效率增高。 （1）LED材料的光吸收 （2）菲涅耳损失 （3）临界角损失 图5-42 LED的两种基本结构 图5-43 LED在室温下的光谱响应 图5-44 GaAsP LED的fL-λ（Eg）关系 GaAlAs异质结LED（a）截面图（b）能带图 图5-45 （a）面发光结构 （b）边发光结构 图5-46 异质结LED LED也可用作光耦合隔离器。 图5-47 光耦合隔离器示意图 激光，意指辐射受激发射的光放大（light amplification by stimulated emission of radiation）。 按工作物质的不同，激光器可分为固体激光器、液体激光器、气体激光器、半导体激光器等。 半导体激光器还具有下列一些特点： （1）其他激光器量子跃迁发生在分立能级之间，而半导体激光器的量子跃迁发生在能带之间； （2）半导体激光器体积小、重量轻、抗震性强，但因有源区很窄，一般厚度仅达1 ?m左右，其发散角比一般激光器大得多，方向性较差； （3）半导体激光器的空间和时间特性很大程度上受到构成结的材料特性（如