模拟电子技术基础沈任元第四章场效应晶体管及其放大电路课件教学.pptVIP

第四章 场效应晶体管及其放大电路 4.1 单极型晶体管 4.2 场效应管基本放大电路 4.3 应用电路介绍 简介 场效应管属于另一种半导体器件，尤为突出的是：场效应管具有高达107～1015的输入电阻，几乎不取用信号源提供的电流，因而具有功耗小、噪声小、体积小、抗幅射、热稳定性好、制造工艺简单且易于集成化等优点。 根据结构的不同，场效应管可分为结型和绝缘栅型两大类，它们都只有一种载流子(多数载流子)参与导电，故又称为单极型三极管。其中绝缘栅型应用更为广泛。 4.1 单极型晶体管 （FET） 绝缘栅型场效应管的结构是金属－氧化物－半导体，简称为MOS管。MOS管可分为N沟道和P沟道两种，每一种又可分为增强型与耗尽型两种型式。本节将以N沟道为例，说明绝缘栅型场效应管的结构和工作原理。 （1）工作原理 上述这种在时没有导电沟道，因而必须在时才形成导电沟道的场效应管称为增强型场效应管。 2）漏源间电压和栅源电压 对漏极电流 的影响 当 时，若在漏-源之间加上正向电压时，则将产生一定的漏极电流。此时， 的变化会对导电沟道产生影响。 即当 较小时， 的增大使 线性增大，沟道沿源-漏方向逐渐变窄，如图4-3 a)所示。 一旦 增