微电子器件与IC设计基础第二版第1章习题概要.docVIP

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  • 2017-03-07 发布于湖北
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微电子器件与IC设计基础第二版第1章习题概要.doc

微电子器件与IC设计基础第二版第1章习题概要

第一章 思考题: 简单解释原子能级和晶体能带之间的联系和区别。 答:在孤立原子中,原子核外面的电子受到这个原子核所带正电荷的作用,按其能量的大小分布在不同的电子轨道上绕核运转。原子中不同轨道上电子能量的大小用彼此有一定间隔的横线段组成的能级图来表示(见图1.1b)。能级的位置越高,表示该能级上电子的能量就越大。原子结合成晶体后,一个原子核外的电子除了受到这个原子核所带正电荷以及核外电子所带负电荷的作用以外,还要受到这个原子周围其它原子所带正负电荷的作用。也就是说,晶体中的电子是在原子核的正电荷形成的周期性势场中作如图1.1(a)中箭头所示的共有化运动。正因为如此,原来描述孤立原子中电子能量大小的能级就被分裂成为一系列彼此相距很近的准连续的能级,其形状好似一条条反映电子能量大小的带子,故称之为能带,见图1.1(b)。 以硅为例,解释什么是施主杂质和施主能级?什么是受主杂质和受主能级? 答:以硅为例,见图1.2(a),如果在单晶硅中掺入Ⅴ族元素的杂质磷(P+),磷原子将取代Ⅳ族的硅(Si)原子的位置而成为所谓的施主杂质。因为磷原子外层有五个价电子,它和周围的四个硅原子形成共价键后还多出一个电子,这个多余的电子受到磷原子核的微弱束缚力而绕着该原子核做一定半径的圆周运动,它只需要吸收很小的能量(百分之几个电子伏特)就能挣脱磷原子核的束缚而成为可以在整个晶体中运动的准自由电子,原来

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