具有低电压保护功能之脉波宽度调变驱动晶片之设计.doc

應用於低電壓保護功能之脈波寬度調變驅動晶片之設計 吳在寧郭永超林浩仁 大葉大學資訊工程系 摘要 近年來，CMOS積體電路技術已成功的應用在許多的系統上，為了能更有效率的使用可攜式電子產品的電源，低電壓、低消耗功率的電路是現在發展的趨勢，加上在現今的類比電路應用上，常常需要一個能夠不因電源電壓以及溫度的變化而產生太大變動的能隙電壓參考電路(Bandgap)，藉由和絕對溫度成比例的電路(PTAT)去補償雙載子電晶體所產生的負溫度係數，以提升整體電路的精確度、可靠度，或是用以監督電源或是其他電路操作之正確性等等，是一應用極為廣泛的重要電路。另外在電力電子產品中，常使用到脈波寬度調變(pulse-width modulation，PWM)技術；本論文針對低電源電壓電子系統所需要的直流轉直流降壓轉換器(DC-DC)提出具有低電壓保護功能之脈波寬度調變驅動晶片之設計與實現，實作出來的晶片具有很高的電能轉換效率並且適合可攜式電子系統產品來使用，例如：行動電話、數位相機和個人數位助理…等等。 此一晶片是透過晶片系統中心(CIC)來製作，使用台積電(TSMC)所提供的0.35um 2P4M 3.3V 互補式金屬氧化層混合訊號製程，於九十四年一月下線成功，此晶片工作電壓在3.3V，工作頻率在100KHz至10MHz之間，總消耗功率為468.7330uw，尺寸大小為343.7um x 325um。 關鍵詞：能隙電壓參考電路絕對溫度成比例的電路脈波寬度調變降壓型轉換器互補式金屬氧化層混合訊號製程 早期的通信，大部份是採用連續性類比信號來傳輸，但由於數位電腦及網路多重通訊的興盛，使得許多資訊以脈波方式來傳送較為簡單與方便；脈波調變可用來傳輸如類比語音或資料之用，其方法是以一定的速率對連續波信號作取樣，而此速率亦是其傳輸速率。在接收端，將接收到的脈波作解調以還原回原來的連續波類比信號。脈波調變一般常見的有脈波振幅調變（Pulse-amplitude modulation,PAM），脈波寬度調變（Pulse-width modulation, PWM），脈波位置調變（Pulse Position modulation,PPM）以及脈波符碼調變（Pulse code modulation, PCM）[1]，在此，將探討PWM的技術，進而設計出一顆脈波寬度調變IC。 加上近幾年來，消費性電子產品如掌上型個人數位助理、行動電話、隨身聽…等等，無不以獲得更長的使用時間為發展方向。因此，電池便是為了因應續電力與可攜帶性而多樣性的發展。但電池容量有限，如何有效率的使用電池將更為重要。 為了要更有效率的管理單顆鋰電池手持式電子產品的電源，設計一個提供電壓3.3V，工作在1V 的脈衝-寬度調變直流對直流轉換器(Pulse-Width-Modulation DC/DC converter)[5]是必要的，這也是設計此晶片的動機之一，加上CMOS積體電路技術已成功的應用在許多系統上，為了能更有效率的使用單顆鋰電池手持式電子產品的電源，低電壓、大電流的電路是現在發展的趨勢；目前的脈波寬度調變器主要研究方向大多著重在正確的輸出波形及反應的時間，如此才可以處理更快且更複雜的類比訊號。 在本論文電路的設計中，最大的貢獻就是整合了傳統運算放大器、比較器和振盪器來作出脈波寬度調變器，並著重於運算放大器的響應、比較器的反應速率與振盪器的控制，且提出了創新的想法把能隙電壓參考電路(Bandgap)和脈波寬度調變器組成可應用於低電壓保護功能之脈波寬度調變驅動晶片上；本設計很適合使用標準的CMOS 製程來實作，也很適合製作成一個IP 電路，被廣泛的應用；從HSPICE 的模擬結果得知本晶片其工作頻率在100KHz~10MHz。本設計是以台積電0.35m 2P4M CMOS 製程所設計的，操作溫度為0℃至100℃。其佈局面積為343.7m * 325μm，供應電源為3.3V，功率消耗為468.7330uw。 低電壓保護功能之脈波寬度調變驅動晶片包含了四個子電路，分別是兩級運算放大器(Two Stage Operational Amplifier)、比較器(Comparator)、扼鈴式電壓控制振盪器(VCO)和能隙電壓參考電路(Bandgap References)，在此先簡單介紹其兩級式運算放大器、比較器、電壓控制振盪器和能隙電壓參考電路，最後再介紹低電壓保護功能之脈波寬度調變驅動晶片基本運作原理。 圖1是兩級式運算放大器電路的基本架構，在理想情況下，運算放大器是一個電壓控制電壓源，而且電壓增益無窮大，零輸入導納及零輸出阻抗，並且不受頻率、溫度、失真及雜訊的影響。然而，實際的運算放大器只能和理想近似而已。理想運算放大器和實際運算放大器主要的差別有以下幾點：[2]