数字电路第3章教材.ppt

* 普通与非门输出接地 V5截止 输出端接地 电流过大 烧坏V5 普通与非门输出直接相接 门1 门2 输出高电平V5截止 输出低电平V4截止 IL Uo IL从截止门的V4管流到导通门的V5管 3.2.4 集电极开路门和三态门 一般的TTL门电路： 输出端不能直接和地线或电源线（+5V）相连。 两个TTL门的输出端不能直接并接在一起。 集电极开路门和三态门是允许输出端直接并联在一起的两种TTL门，还可以构成线与逻辑和线或逻辑。 集电极开路门又称OC(Open Collector)门 图 3-13 OC门电路 集电极开路门 集电极开路门 线与功能 Ucc RL F 上拉电阻RL的选取 输出高电平时， 不低于输出高电平的最小值UOHmin； 输出低电平时， 不高于输出低电平的最大值UOLmax F=AB ·CD IL IoH IoH 1 1 0 0 IoL IoL Ucc IRL IoH IoH IoH Uo IiH IiH IiH 上拉电阻RL的选取 输出高电平时，Oc门截止； 不低于输出高电平的最小值UOHmin； Ucc IRL IoL Uo IiL IiL IiL 3.6V 上拉电阻RL的选取 IRL=IOLmax- mIiL RLmin=(Ucc-UOLmax)/IRL 一个门导通，输出低电平时， 不高于输出低电平的最大值UOLmax TTL三态与非门 D F：第三状态 高阻 1V 1V T2 T5截止 二极管 D 截止 VB1 = 1V VB3 =1V 二极管D导通 EN = 0 时 EN = 1时 T3 导通，T4 截止 0.3V F = AB TTL三态门 三态非门 三态与门 三态与非门 三态门 e F 0 b 1 a 线或（Wired-OR）F=ae+be Question F=? EN EN D0 D1 EN G1 G2 EN=1时 G1工作 G2高阻 数据从D0 D1 EN=0时 G2工作 G1高阻 数据从D1 D0 用三态门实现双向传输 三态门应用于总线 Display Printer keys CPU 1 1 0 Bus 三态门接于总线，可实现数据或信号的轮流传送 0 0 TTL门电路由晶体管组成，属双极型门电路，MOS 门电路由场效应管组成，属单极型门电路，MOS 门电路是目前大规模和超大规模数字集成电路中应用最广泛的一种。 MOS门电路分类 NMOS电路 PMOS电路 CMOS电路 3.3 CMOS 门电路 P沟道 N沟道 互补对称结构 设：A = 0 则：T2 导通 T1 截止 0 F = 1 1 设：A = 1 则：T1 导通 T2 截止 F = 0 F = A 1. CMOS 反相器* 该电路具有反相器的功能。 1 0 CMOS 门电路是一种互补对称场效应管集成电路(略） 2. CMOS “与非”门电路* P 沟道负载管并联 N 沟道 驱动管 串联 设：A = 1，B = 1 则：T1 T2 导通 T3 T4 截止 F = 0 0 设：A = 0，B = 1 （不全为 1） 则：T2 T3 导通 T1 T4 截止 F = 1 F = A B 负载管和驱动管串联 1 1 0 1 1 3. CMOS “或非”门电路* P 沟道 负载管 串联 N 沟道 驱动管 并联 设：A = 0，B = 0 0 0 则：T3 T4 导通，T1 T2 截止 驱动管与负载管串联 F =1 设：A = 0，B =1 （输入不全为零时） 则：T2 T3 导通 T1 T4截止 F =0 F = A+B 1 0 注意*：上述分析表明，MOS “与非”门的输入端越多，串联的驱动管越多，导通时的总电阻就愈大，输出低电平值将会因输入端的增多而提高，对于MOS “或非”门因驱动管并联，不存在这个问题，因此，MOS门电路中 “或非”门用的较多。 CMOS电路有以下特点： ① 静态功耗低。 ② 抗干扰能力强。 ③ 电源电压工作范围宽，电源利用率高（3~18V）。 CMOS逻辑门器件有三大系列： ① 4000系列。 ② 74C××系列。 ③ 硅-氧化铝系列。 各种系列门电路的性能比较 TTL集成电路：工作速度高、驱动能力强，但功耗大、集成度低； MOS集成电路：集成度高、功耗低。超大规模集成电路基本上都是MOS集成电路，其缺点是工作速度略低。 BiCMOS器件：它由双极型晶体管电路和MOS型集成电路构成，能够充分发挥两种电路的优势，