超大规模集成电路技术基础（3修改.pptVIP

第3章 硅氧化 VLSI 制造中，薄膜工艺是核心，包括热氧化膜（含栅氧化膜和场氧化膜）、电介质膜、外延膜、多晶硅膜、金属膜。 黄君凯 教授 图3-1 MOSFET截面图 3.1 热氧化方法 热氧化装置 线性升温至氧化温度：900 ~1200 , 控温精度 ，气流速率 。 黄君凯 教授 图3-2 热氧化炉截面 垂直层流罩 3.1.1 生长动力学 （1）生长工艺 干氧化： 湿氧化： 设生长厚度为 的 层需消耗硅层厚度为 ，若非晶 层中硅原子密度 ，单晶硅原子密度 ，则上图中厚 的 层内的硅原子数，应与厚 的单晶硅层内的硅原子数相等： 解出 ： 黄君凯 教授 图3-3 热氧化过程 （2） 膜结构 膜结构：晶