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《电子技术及应用》习题册 第一章 半导体二极管 一、填空 1、PN结正偏时（ ）。 2、PN结反偏时（ ）。 3、PN结具有（ ）的性质。 4、漂移电流是（ ）电流。 5、漂移电流由（ ）载流子形成。 6、漂移电流的大小与（ ）有关。 7、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线。 8、所谓理想二极管，就是当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开 9、P型半导体中空穴为（ ）载流子。 10、P型半导体中自由电子为（ ）载流子。 11、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（ ） 12、PN结的P型侧接低电位，N型侧接高电位称为（ ） 13、稳定二极管稳压时是处于（ ）偏置状态. 14、二极管导通时是处于（ ）偏置状态。 15、杂质半导体有（ ）型和N型之分。 16、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了（ ）电压。 17、PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是（ ）电压。 18、杂质半导体有P型和（ ）型之分。 19、本征半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 20、在P型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 21、在N型半导体中，自由电子浓度 空穴浓度。 二、选择 1、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。 A 大 B 小 C 相等 D. 不确定 2、二极管两端电压大于 电压时，二极管才导通。 A击穿电压； B死区； C饱和 D截止 3.、N型半导体 。 A．带正电 B．带负电 C．呈电中性 D. 不确定 4、P型半导体 。 A．带正电 B．带负电 C．呈电中性 D. 不确定 三、判断 1、构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。 （ ） 2、当温度升高时，二极管反向饱和电流将不变。 （ ） 3、当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压反向偏置且被击穿。 （ ）四、简答 1、什么是本征半导体和杂质半导体？ 、什么是N型半导体?什么是P型半导体?当两种半导体制作在一起时会产生什么现象? 4、PN结上所加端电压与电流是线性的吗?它为什么具有单向导电性? 答案： 1、导通 2、截止 3、单向导电性 4、反向 5、少数 6、温度 7、零 8、 无穷大 9、多数 10、少数 11、正偏 12、反偏 13、反向 14、正向 15、P 16、反向 17、正向 18、N 19、等于 20、小于 21、大于 1、A 2、B 3、C 4、C 1、对 2、错 3、对 1、答：纯净的半导体就是本征半导体，在元素周期表中它们一般都是中价元素。在本征半导体中按极小的比例掺入高一价或低一价的杂质元素之后便获得杂质半导体。 答：多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体。反之，多数载子为空穴的半导体叫P型半导体。P型半导体与N型半导体接合后 便会形成P-N结。 4、答：不是线性的，加上正向电压时，P区的空穴与N区的电子在正向电压所建立的电场下相互吸引产生复合现象，导致阻挡层变薄，正向电流随电压的增长按指数规律增长，宏观上呈现导通状态，而加上反向电压时，情况与前述正好相反，阻挡层变厚，电流几乎完全为零，宏观上呈现截止状态。这就是PN结的单向导电特性。 第二章 三极管 一、填空 1、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ） 2、三极管具有放大作用外部电压条件是集电结（ ）。 3、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ）。 4、当温度升高时，晶体三极管发射结压降（ ）。 5、三极管放大电路共有三种组态分别是（ ）、共集、共基放大电路。 6、三极管放大电路共有三种组态分别是共射、（ ）、共基放大电路。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是共射、共集、（ ）放大电路。 8、晶体三极管的集电极电流Ic=( )。 9、晶体三极管是（ ）控制元