ch07存储器、复杂可编程逻辑器和现场可编程门阵列试题.ppt

ADV=0:普通模式读写 片 选 无 效 =0:写操作 WE =1:读操作 WE 普通模式读写模式:在每个时钟有效沿锁存输入信号,在一个时钟周期内,由内部电路完成数据的读(写)操作。 读A1地址单元数据 I/O输出A1数据;开始读A2 数据 I/O输出A2数据;开始读A3 数据 I/O输出A6数据;开始 读A7 数据 开始读A4地址单元数据 I/O输入A5数据;开始 写A6 数据 I/O输出A4数据;开始写A5数据, 读A2地址单元数据 丛发模式读A2+1中的数据 丛发模式读A2+2中的数据 丛发模式读A2+3中的数据 丛发模式重新读A2中的数据 ADV=1:丛发模式读写 丛发模式读写模式：在有新地址输入后,自动产生后续地址进行读写操作,地址总线让出 读A1地址单元数据 丛发模式读A1+1中的数据 丛发模式读A1+2中的数据 在由SSRAM构成的计算机系统中，由于在时钟有效沿到来时，地址、数据、控制等信号被锁存到SSRAM内部的寄存器中，因此读写过程的延时等待均在时钟作用下，由SSRAM内部控制完成。此时，系统中的微处理器在读写SSRAM的同时，可以处理其他任务，从而提高了整个系统的工作速度。 SSRAM的使用特点： 1、动态存储单元及基本操作原理 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通，电容器C与位线B连通 输入缓冲器被