1_第一讲_基础知识题材.pptVIP

当VSD0，开始有电流。电流的方向从源到漏。沟道电流随VSG增加而增加。 当VSG＜VTH时，截止； 当VSD＜VSG－VTH时，PMOS工作在线性区； 当VSDVSG－VTH时，PMOS工作在深线性区； 当VSD≥VSG－VTH时，沟道被夹断，PMOS进入饱和区，电流相对恒定。 I 27 2、IV特性 μp为空穴的迁移率，是电子迁移率的1/2到1/4，因此 PMOS具有较低的“电流驱动能力”。 当PMOS工作在饱和区时，电流为： 28 （三）跨导 MOS管工作时，其漏极电流受过驱动电压控制，定义 跨导为电压转换电流的能力： 当MOS管工作在饱和区时，其跨导为 ＝1/Ron 深线性区等效电阻 当MOS管进入线性区时，跨导下降，故作为放大应用，通常使MOS管工作在饱和区 29 截止区： 深线性区： 线性区： 饱和区： un ：载流子迁移率 Cox ：单位面积栅氧电容 W/L：宽长比 VTH ： 阈值电压 （四）IV特性总结 30 （五）对NMOS和PMOS工作状态的判别 当VGD不足以形成反型层时，沟道被夹断，饱和 VG-VDVTH，夹断发生，饱和； VD-VGVTH,夹断发生，饱和。 VG-VD＝VTH VD-VG＝VTH VG-VDVTH 进入线性区 VD-VGVTH 进入线性区 D D S S G G 31 （六）二级效应－体效应－沟道长度调制效应－亚阈值导电性－短沟道效应 32 1、体效应（背栅效应） 当VBS0时，栅极和衬底之间的电位差加大，耗尽层的厚度也变大，耗尽层内电荷量增加，造成阈值电压变大。 阈值电压是耗尽层电荷数的函数 33 2、沟道长度调制效应 当VDS≥VGS－VTH时，导电沟道产生夹断 MOS管的漏源电压VDS控制夹断区长度L’=（L－△L） 夹断区长度的变化导致MOS管沟道电流变化 定义： 受VDS控制 λ∝1/L 34 3、亚阈值导电性 VGSVTH时，沟道内仍然有一个弱反型层，并有漏电流存在，与VGS成指数关系。 栅极电压对漏极电流的控制从饱和区的平方律变成亚阈值区的指数规律 漏电流以有限的速率下降，亚阈值导电导致较大的功率损耗。 35 （七）MOS器件电容 栅和沟道间的氧化层电容 衬底和沟道间的耗尽层电容 栅与源和漏间的交叠电容C3、C4 源/漏区与衬底之间的结电容。 分为：下极板电容Cj和侧壁电容Cjsw 电容存在于四个端子中的任意两个之间 不同结构的管子会 具有不同的结电容 36 （八）NMOS小信号模型 MOS管的I/V特性构成MOSFET的大信号模型。 当信号对偏置影响小，就可以用小信号模型简化计算，小信号模型是工作点附近的大信号模型的近似。 沟道长度调制效应等效模型 模拟电路中大多MOS被偏置在饱和区 基本小信号模型，ID=gmVGS 考虑沟道长度调制效应小信号模型 考虑沟道长度调制效应、体效应的小信号模型 体效应等效模型 37 1、沟道长度调制效应等效模型 由于沟道长度调制，其漏电流的变化和VDS成线性关系， 因此可以用一个线性电阻r0来等效沟道长度调制效应： r0影响 模拟电路的许多特性，如放大器的最大增益等。 2、体效应等效模型 衬底电势VBS影响阈值电压，因而影响过驱动电压， 进而影响漏电流。因此，漏电流是衬底电势的 函数。 38 用D、S之间的电流源来模拟体效应，其电流值为 其中， ＝η gm 39 3、完整的MOS小信号模型 包括电容 40 （九）PMOS小信号模型 可用r0=1/λIsd来替代 41 * 综合： 将RTL级描述转换成门级网表的过程。 首先将RTL级描述转换成电路的布尔函数表达式，然后根据施加的时序和面积的约束，表达式进行优化和重组， 最后从目标工艺库中选择单元形成实际的电路网表。 门级仿真： 逻辑综合之后的仿真称为门级仿真。 门级网表是使用门电路以及电路之间的连接来描述电路的方式。 门级仿真与RTL仿真不同的是，门级仿真包含了门单元的延时信息。 把综合后得到的网表中门级延时参数提取出来后，对被测试对象进行反标，然后再进行仿真。 自动布局布线： 将门级网表映射成物理单元的连接。 模拟CMOS集成电路设计Design of Analog  CMOS Integrated Circuit Institute of VLSI Design, Hefei U.of Tech 第一讲 基础知识 1 1.1 概 述 2 1、为什么需要模拟集成电路？ （1）为什么需要模拟电路 处理自然界信号 —信号的采集、接收、放大、滤波 （传感器、无线射频接收器、放大器、模拟滤波器） 数字信号处理链路必需且重要的器件 —模拟信号到数字信号的转换，