第3章晶体二极管及其基本电路(new)概要.pptVIP

图3–24 肖特基二极管结构与符号 (a)结构示意图； (b)电路符号 光电二极管的结构与PN结二极管类似，但在它的PN结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的PN结在反向偏置状态下运行，它的反向电流随光照强度的增加而上升。 3.5.4.1 光电二极管 3.5.4 光电子器件 发光二极管通常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等所制成的。当这种管子通以电流时将发出光来，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。 3.5.4.2 发光二极管 激光二极管的物理结构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体，其端面经过抛光后具有部分反射功能，因而形成一光谐振腔。在正向偏置的情况下，LED(Light-emitting Diode发光二极管）结发射出光来并与光谐振腔相互作用，从而进一步激励从结上发射出单波长的光，这种光的物理性质与材料有关。 3.5.4.3 激光二极管 * RD不是恒定值，正向的RD随工作电流增大而减小，反向的RD随反向电压增大而增大。 RD的几何意义见图3–15(a)，即Q(ID,UD)点到原点直线斜率的倒数。显然，图中Q1点处的RD小于Q2点处的RD 。 (3–9) 图3–15二极管电阻的几何意义 (a)直流电阻RD； (b)交流电阻rD 2、交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即 (3–10) rD的几何意义见图3–15(b)，即二极管伏安特性曲线上Q(IDQ,UDQ)点处切线斜率的倒数。 rD可以通过对式(3–4)求导得出，即 (3–11) 可见rD与工作电流IDQ成反比，并与温度有关。室温条件下(T=300K): 通过对二极管交、直流电阻的分析可知，由于二极管的非线性伏安特性，所以交、直流电阻均是非线性电阻，即特性曲线上不同点处的交、直流电阻不同，同一点处交流和直流电阻也不相同。 (3–12) 3、IF — 最大整流电流(最大正向平均电流) 4、VRM — 最高反向工作电压，为 V(BR) / 2 5、IR — 反向电流(越小单向导电性越好) 6、fM — 最高工作频率(超过时单向导电性变差) iD vD V (BR) I F VRM O 影响工作频率的原因 — PN 结的电容效应 结论：1.低频时，因结电容很小，对 PN 结影响很小。高频时，因 容抗增大，使结电容分流，导致单向导电性变差。 2.结面积小时结电容小，工作频率高。 7、极间电容C (1)势垒电容CB 势垒电容示意图 (2) 扩散电容CD 扩散电容示意图 从电路上看，CB和结电阻并联，反偏结电阻很大，尽管CB很小，它的作用还是不能忽略；正偏时结电阻很小，尽管CB很大，它的作用相对来说反而比较小。 PN结的正向电流是由P区的空穴和N区的电子的相互扩散形成的,从P区扩散到N区的空穴在N区存在着浓度差,靠近PN结近的空穴的浓度大，远离PN结近的空穴的浓度小。 二极管使用时，应注意以下事项： (1)二极管应按照用途、参数及使用环境选择。 (2)使用二极管时,正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。 (3)更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。 (4)二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于2mm,以免造成引线折断或外壳破裂。 3.4　二极管电路的 分析方法 3.4.1 二极管正向V-I特性的建模 3.4.2 模型分析法应用举例 1、理想模型 特性 vD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通，vD = 0；反偏截止， iD = 0 V(BR) = ? 图示表示理想二极管的V–I特性，其中的虚线表示实际二极管的V–I特性。由图可见，在正向偏置时，其管压降为0V，而当二极管处于反向偏置时，认为它的电阻为无穷大，电流为零。在实际的电路中，当电源电压远比二极管的管压降大时，利用此法来近似分析是可行的。 2、二极管的恒压降模型 vD iD VD vD = VD 0.7 V (Si) 0.2 V (Ge) 当二极管导通后，认为其管压降是恒定的，且不随电流而变，典型值为0.7V（Si为0.7V、Ge为0.2V）。不过这只有当二极管的电流iD近似等于或大于1mA时与结果接近。 VD + - 3、二极管的折线模型 为了较真实地描述二极管V-I特性，认为二极管的管 压降不是恒