10-扫描电子显微与电子探针答题.ppt

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第一节 扫描电子显微镜工作原理及构造 样品本身要保持电平衡,这些电子信号必须满足: ip=ib+is+ia+it 式中:ip 是入射电子强度;  ib 是背散射电子强度;  is 是二次电子强度;  ia 是吸收电子强度;  it 是透射电子强度。 将上式两边同除以ip, η+δ+a+T=1 式中:η= ib/ip 为背散射系数; δ= is/ip 为二次电子发射系数; a = ia/ip 为吸收系数; T = it/ip 为透射系数。 二、构造与主要性能 扫描电子显微镜由电子光学系统(镜筒)、扫描系统、信号检测放大系统、图像显示和记录系统、电源系统和真空系统等部分组成 1.电子光学系统 由电子抢、电磁聚光镜、光栏、样品室等部件组成。 作用:获得扫描电子束,作为使样品产生各种物理信号的激发源。 表10-1 几种类型电子枪性能比较 3.信号检测放大系统 作用:收集(探测)样品在入射电子束作用下产生的各种物理信号,并进行放大。 4.图像显示和记录系统 作用:将信号检测放大系统输出的调制信号转换为能显示在阴极射线管荧光屏上的图像,供观察或记录。 SEM的主要性能 (1)放大倍数 可从20倍到20万倍连续调节。 (2)分辨率 影响SEM图像分辨率的主要因素有: ①扫描电子束斑直径 ; ②入射电子束在样品中的扩展效应; ③操作方式及其所用的调制信号; ④信号噪音比; ⑤杂散磁场; ⑥机械振动将引起束斑漂流等,使分辨率下降。 (3)景深 SEM(二次电子像)的景深比光学显微镜的大(一至两数量级),成像富有立体感。 表10-2 扫描电子显微镜景深 第二节 像衬原理与应用 一、像衬原理 像的衬度就是像的各部分(即各像元)强度相对于其平均强度的变化。 SEM可以通过样品上方的电子检测器检测到具有不同能量的信号电子有背散射电子、二次电子、吸收电子、俄歇电子等。 1.二次电子像衬度及特点 二次电子信号主要来自样品表层5~10nm深度范围,能量较低(小于50eV)。 影响二次电子产额的因素主要有: (1)二次电子能谱特性; (2)入射电子的能量; (3)材料的原子序数; (4)样品倾斜角?。 二次电子像的衬度可以分为以下几类: (1)形貌衬度 (凹凸决定倾斜角?) (2)成分衬度 (原子序数Z) (3)电压衬度 (局部电位,正暗负亮) (4)磁衬度(第一类,条纹衬度) 右图为形貌衬度原理 二次电子像衬度的特点: (1)分辨率高 (2)景深大,立体感强 (3)主要反应形貌衬度。 什么是最小衬度? 样品相邻区域的信号强度差别太小时(衬度小于噪声与信号之比的5倍),人眼不能加以区分. 2.背散射电子像衬度及特点 影响背散射电子产额η的因素有: (1)原子序数Z (2)入射电子能量E0 (3)样品倾斜角?(50o-90o ) 图10-6 背散射系数与原子序数的关系 背散射电子衬度有以下几类: (1)成分衬度(原子序数) (2)形貌衬度 (不如二次电子敏感) (3)磁衬度(第二类,轨迹方向影响) 背散射电子像的衬度特点: (1)比二次电子分辩率低 (2)背散射电子检测效率低,衬度小 (3)主要反应原子序数衬度 二次电子运动轨迹 背散射电子运动轨迹 图10-7 二次电子和背散射电子的运动轨迹 样品制备 SEM样品制备一般原则为: A. 显露出所欲分析的位置。 B. 表面导电性良好,需能排除电荷。 C. 不得有松动的粉末或碎屑(以避免抽真空时粉末飞扬污染镜柱体)。 D. 需耐热,不得有熔融蒸发的现象。 E. 不能含液状或胶状物质,以免挥发。 F. 非导体表面需镀金(影像观察)或镀碳(成份分析)。 水泥浆体断口 第三节 电子探针X射线显微分析(EPMA) EPMA的构造与SEM大体相似,只是增加了接收记录X射线的谱仪。 EPMA使用的X射线谱仪有波谱仪和能谱仪两类。 一、能谱仪 能谱仪全称为能量分散谱仪(EDS). 目前最常用的是Si(Li)X射线能谱仪,其关键部件是Si(Li)检测器,即锂漂移硅固态检测器,它实际上是一个以Li为施主杂质的n-i-p型二极管。 图10-18 Si(Li)检测器探头结构示意图 以Si(Li)检测器为探头的能谱仪实际上是一整套复杂的电子学装置。

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