6封装可靠性题稿.ppt

封装的可靠性问题 北京大学微电子学系 * * Department of microelectronics Peking University 内容提纲 集成电路后工序简介 封装形式 封装可靠性问题 封装的可靠性问题 封装工艺过程 划片 分离芯片 镜检及分选 装架 检验 引线键合 检验 封盖 外引线整形 打印标签 包装入库 组装工艺流程 后工序－主要是将硅片分割成单个芯片，并封装到管壳内。大体分为： 划片 键合 封装 成品检测 老化筛选 键合和封装工艺最为关键，在很大程度上决定了 集成电路的可靠性和成本 简 介 封装工艺过程 引线键合 芯片粘结 芯片和管座的机械结合，不仅芯片要牢靠固定，而且具有电学上 的欧姆接触，并改善散热条件 引线键合 芯片上的压焊点与管壳基座边上的引线压焊区，采用金属细线连接 金丝球焊法、热压键合法、超声键合法等 面朝下键合 芯片正面朝下，将芯片上的压焊点与管壳基座上的压焊区进行键合 省略金属引线，键合速度快，可靠性和成品率都高，对自动化有利 典型方式有：到装方式、樑式引线、珠网方式等 封装工艺过程 封装形式 封装的主要目的：阻止来自外界的冲击和潮气等，以保护内部的芯片和键合部位；其次是为了易于安装在印刷电路板上。 LSI～VLSI 芯片载体 SSI～LSI 塑料双列直插封装 SSI～MSI 陶瓷扁平封装 SSI～LSI 陶瓷模塑双列直插封装 SSI～LSI 陶瓷平行缝焊双列直插封装 晶体管、SSI 塑料封装 晶体管、SSI 金属管壳封装 主要应用 封装类型 先进的封装技术 目前的集成电路封装技术： 四列扁平封装(QFP)；球焊阵列封装(BGA) 芯片尺寸封装(CSP)；多芯片组装(MCM) 载带自动键合(TAB)；倒装焊(FC) 发展过程： 20世纪60、70年代中小规模IC曾大量采用I/O数十个引脚的TO封装，后来发展成为这个时期的主导封装产品－DIP(双列直插封装 Dual In-line Package) 80年代出现了表面安装技术(SMT)，IC封装形式发展成为适合表面贴装的短引线或无引线(SMC/SMD)结构，用以封装I/O数十个引脚的中规模集成电路(MSIC)或较少I/O的LSI 发展过程(续)： 90年代开发出QFP、塑料四列扁平封装(PQFP)，不但解决了较多I/O LSI的封装问题，而且适于SMT在印刷电路板(PCB)或其他基板上进行表面贴装 QFP、PQFP成为SMT的主导微电子封装形式。 90年代出现了BGA(球格阵列 Ball Grid Array)，以面阵排列、球形凸点为I/O，克服QFP在VLSI中遇到的困难 近几年又发展出?BGA，封装达到不超过芯片尺寸20%的所谓芯片尺寸封装(CSP)，这促使MCM得以迅速发展 WB－丝焊 DCA－直接晶片接合(Direct Chip Attachment) SLIM－单级集成模块(Single level integrated module) 75% 25% 10% 7% 2% Si效率（芯片/基板） 1 5~10 5~10 5~10 5~10 元件类型 1 3~1 3 3 3 封装层次 SLIM DCA板 有机 有机 有机 基板 集成 分立/组合 分立 分立 分立 无源元件 DCA BGA/SMT BGA/SMT SMT PIH 组装方式 裸芯片 CSP BGA QFP DIP 封装形式 低成本高I/0的FC FC WB WB WB 芯片互连 2005 2000 1990 1980 1970 年份 微电子封装发展的历程及趋势 从DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。 先进的封装技术 简介 一、DIP封装 　　 封装结构形式：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)。 Intel公司这期间的CPU如8086、80286都采用PDIP封装。 二、芯片载体封装 　　 封装形式有：陶瓷无引线芯片载体LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引线芯片载体PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封装SOP(Small Outline Package)、塑料四边引出扁平封装PQFP(Plastic Quad Flat Package)，QFP比DIP的封装尺寸大大减小。 Intel公司的CPU，如Intel 80386就采用塑料四边引出扁平封装PQFP。 三、BGA封装 　　 成为CPU、南北桥