(VGS)来控制通道宽窄.ppt

場效電晶體 (FET)： 場效電晶體是另一種型式的電晶體，相較於 BJT 而言，主要的優點是運作時能量的消耗極少，具有更快的開關速度，因此作為電子開關時具有更優秀的特性，但線性度較差。目前常被用於數位電路或微電腦電路中。 場效電晶體 (FET) 的分類： 接面場效電晶體 (JFET) n 通道 (n Channel) p 通道 (p Channel) 金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 空乏型 (Depletion) n 通道 (n Channel) p 通道 (p Channel) 增強型 (Enhancement) n 通道 (n Channel) p 通道 (p Channel) 接面場效電晶體 (JFET)： 主要有以下兩種型式： n 通道 p 通道 示意圖 電路符號 洩極 (D)：Drain 閘極 (G)：Gate 源極 (S)：Source 通道與閘極為一 pn 接面，未加電壓時接面處存有一空乏區，若在閘極 (G) 與源極 (S) 間逆向偏壓 (VGS ≦ 0V)，逆向偏壓愈負，則空乏區愈大，通道愈窄，若在通道兩端加電壓 (VDS ＞ 0V)，則電流愈小。若逆向偏壓愈不負，則空乏區愈小，通道愈寬，在通道兩端加電壓 (VDS ＞ 0V)，電流愈大。G、S 兩端不可以順向偏壓，否則如同二極體短路，大量電流從 G 流向 S，無法控制通道寬窄。 FET 是一個用閘源間的電壓 (VGS) 來控制通道寬窄，進而控制通道電流的元件。因為控制時逆向偏壓，閘極幾乎無電流，因此所損耗的能量極為微小。 JFET 的電壓電流特性曲線： 以 n 通道為例： 在通道兩端加電壓 VDS，若 VGS 愈負 (小)，通道愈窄，所能流過的電流愈小。VGS = 0V 時可以流過最大的電流。不可以在 VGS 0V 的狀態下使用。VGS 負到某一程度時，整個通道會封閉，此電壓稱為閘源截止電壓 (VGS(off))。若 VGS 比 VGS(off) 更負(或更小)，通道都是封閉的，即使在 D、S 兩端加電壓也無法流過電流。 當通道兩端的電壓 (VDS) 還小時，通道的特性如同一個電阻，電壓加大，通道電流隨之增加，此區域稱為歐姆區。但電壓大到某一程度以後，即使再增加電壓，電流也無法再增加了，通道的特性進入定電流區。定電流區能達到的電流大小由 VGS 控制通道的寬窄來決定。 金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET)： 空乏型 (Depletion)：D-MOSFET n 通道 p 通道 電路符號： 作用原理：電子 (帶負電) 有被電源正極吸引、負極排斥的傾向。同極相斥，異極相吸。 若將 G、S 兩端順向偏壓 (VGS 0V) 通道加寛，若在 D、S 兩端加電壓，電流較大 若將 G、S 兩端逆向偏壓 (VGS 0V) 通道變窄，若在 D、S 兩端加電壓，電流較小 以 n 通道為例： D-MOSFET 與 JFET 最大的不同點在於 D-MOSFET 可以在 VGS 0V 的狀態下使用，且通道更寬，電流更大。其餘電壓電流的特性與 JFET 相同。要將通道關閉的閘源截止電壓 VGS(off) 為負值。 增強型 (Enhancement) ：E-MOSFET n 通道 p 通道 電路符號 作用原理 (以 n 通道為例)： G、S 兩端電壓為 0V 時，通道關閉，無電流。 若在 G、S 兩端加電壓到 VGS(th) 以上，電子受電場的影響會誘發出一條通道，此時若在通道兩端加電壓，電流即可流過通道。 E-MOSFET 最大的好處在 於要關閉通道的電壓 VGS(th) 為正值，只要閘源電壓 (VGS) 在 VGS(th) 以下時通道即可關閉，亦即較小的正電壓即可關閉通道。因此，要操作 E-MOSFET 只需要提供一個正電源，不需要負電源。E-MOSFET 常用於數位電路或電子開關。 JFET、D-MOSFET、E-MOSFET 的不同點 (以 n 通道為例)： JFET D-MOSFET E-MOSFET 關閉通道的電壓 VGS(off) 為負值，VGS 不可以在大於 0V 的狀態下使用。 關閉通道的電壓 VGS(off) 為負值，VGS 可以在大於 0V 的狀態下使用。 關閉通道的電壓 VGS(th) 為正值，VGS 都在大於等於 0V 的狀態下使用。 p 通道電壓極性及電流方向與 n 通道正好相反。 * * * * * * * * * * * * * *