半导体物理总复习绪论.docxVIP

第一章半导体中的电子状态例1.证明:对于能带中的电子，K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即：v(k)= －v(－k)，并解释为什么无外场时，晶体总电流等于零。解：K状态电子的速度为：（1）同理，－K状态电子的速度则为：（2）从一维情况容易看出：（3）同理有：（4）（5）将式（3）（4）（5）代入式（2）后得：（6）利用（1）式即得：v(－k)= －v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关，即：E(k)=E(－k)故电子占有k状态和-k状态的几率相同，且v(k)=－v(－k)，故这两个状态上的电子电流相互抵消，晶体中总电流为零。评析：该题从晶体中作共有化运动电子的平均漂移速度与能量E的关系以及相同能量状态电子占有的机率相同出发，证明K状态和-K状态的电子速度大小相等，方向相反，以及无电场时，晶体总电流为零。例2. 已知一维晶体的电子能带可写成：式中，a为晶格常数。试求：能带的宽度；能带底部和顶部电子的有效质量。解：（1）由E(k)关系得：（1）（2）令，可得：当时，代入（2）得：，对应E(k)的极小值。当时，代入（2）得：，对应E(k)的极大值。根据上述结果，求得和即可求得能带宽度。故：能带宽度能带底部和顶部电子的有效质量：习题：1.什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。答：当半导体的温度T0K时，有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴，这就是所谓的本征激发。半导体中的价电子没有绝缘体中价电子所受束缚那样强，如果能从外界获得一定的能量，一些价电子就可能挣脱共价键的束缚而成为近似自由的电子。因此温度越高，载流子越多。2.试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。答：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。3.试指出空穴的主要特征。答：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：荷正电：+q；空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）；EP=-En；mP*=-mn*。4.简述Ge、Si和GaAs的能带结构的主要特征。答：（1）Ge、Si：Eg (Si：0K) = 1.21eV；Eg (Ge：0K) = 1.170eV；间接能隙结构；禁带宽度Eg随温度增加而减小；（2）GaAs：Eg（300K）= 1.428eV，Eg (0K) = 1.522eV；直接能隙结构；Eg负温度系数特性：dEg/dT = -3.95×10-4eV/K；5.某一维晶体的电子能带为其中E0=3eV，晶格常数a=5×10-11m。求：能带宽度；能带底和能带顶的有效质量。解：（1）由题意得：令，得tg(ka)=1/3∴k1a=18.4349°，k2a=198.4349°当k1a=18.4349°，对应能带极小值。（2）答：能带宽度约为1.1384Ev，能带顶部电子的有效质量约为1.925x10-27kg，能带底部电子的有效质量约为-1.925x10-27kg。6.半导体的导电机制与其他的材料的不同（载流子）答：半导体有两种载流子，金属只有一种。7.Si有8个吸收峰，n型的Ge也是8个。8.有效质量：速度：9.回旋共振：回旋频率：第二章半导体中的杂质与缺陷能级例1.半导体硅单晶的介电常数＝11.8，电子和空穴的有效质量各为＝0.97，＝0.19和＝0.16，＝0.53，利用类氢模型估计：（1）施主和受主电离能；（2）基态电子轨道半径。思路与解：（1）利用下式求得和。因此，施主和受主杂质电离能各为：（2）基态电子轨道半径各为：式中, 是波尔半径。评析：本题须注意的是硅的导带为多能谷结构，价带有两个，所以在计算杂质电离能和电子轨道半径时，需考虑电子横向有效质量和纵向有效质量，重空穴和轻空穴有效质量。习题：1.什么叫浅能级杂质？它们电离后有何特点？答：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。2.什么叫施主？什么叫施主电离？施主电离前后有何特征？试举例说明之，并用能带图表征出n型半导体。答：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P，P为Ⅴ族元素，本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有四个与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层电子将受到热激发挣脱原子实的束