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CPT热拱仿真分析方法 叶亍文、俞敏 陕西崔威阳市彩虹集团电子股份有限公司技术中心(?12021) 摘要：本文介绍了用有限元法仿真分析CPT在电子束热热作用下的变形 CIII 情况。通过对40 PF(AK)管进行了瞬态热分析、热变形分析， 并开发程序计算出荫罩热变形电子束着屏偏移值。实际测量数据 和仿真计算数据之间的误差不大，而且其趋势一致性好，可以有 效的用于AK材管的设计和开发。 关键词：CPT、荫罩、有限元、热拱、仿真分析 一、引言 CPT(荫罩式彩色显象管)，由于7580％的电子束轰击到荫罩上， 所以荫罩升温。因此，引起荫罩热拱变形，造成荫罩的开孔与荧光粉的 位置关系发生了变化，电子束着屏性能变差，画面的色纯变坏。此种现 象称为色纯漂移现象或称拱形现象。控制荫罩热拱变形所造成的色纯变 化，成为应用彩色显象管高清晰度图形显示及平面屏或提高彩色显象管 显示等级等方面的重要问题。 为了节省原型设计的时间和成本，通过Pro／E建立模型和应用有限 元分析软件ANSYS，开发了CPT热热仿真分析系统。 二、分析过程 在CPT热拱变形仿真分析中，考虑到CPT内部各个构件的热辐射效 应及热传导，需建立一个完整的模型，包括：屏、锥体、内屏蔽、框架、 荫罩、弹簧片；通过对建立好的几何模型进行有限元网络划分，并施加 相应的载荷和边界条件，进行瞬态热分析，求得显像管内各个构件的温 度分布；将求得的温度分布作为节点载荷，施加到显像管有限元模型的 静力分析中，求得各构件的热变形； 根据热变形分析的结果，利用自行 开发的荫罩热变形电子束偏移程序， 即可求得电子束的着屏偏移量。 1．电子束热流等效方法 在CPT封闭系统中，电子枪发射出的电子，约有80％被荫罩所截获， 其余的穿过荫罩的小孔打在玻屏背面的荧光粉上。电子束轰击萌罩和玻 屏产生热量，这就是整个荫罩系统的热源。在进行热分析时，通过等效 热流来模拟电子束轰击荫罩和玻屏产生的热量。 2．CPT封闭系统热交换分析方法 因为CPT封闭系统是在真空条件下工作，所以它内部的热交换是通 过热传导和热辐射进行。而热辐射是主要的传热方式。通过有效的将辐 射边界条件施加在CPT中的各个相关面上，以模拟CPT封闭系统的热辐 射。同时各部件间的热传导也必须充分考虑。通过有效定义各部件的 ANSYS热传导单元连接来模拟CPT封闭系统的热传导。 3．热分析结果耦合分析方法 完成上面的热分析计算后，在进行热变形分析计算时，首先必须将 热分析计算结果在任一瞬态时刻CPT系统的所有节点处温度值通过耦合 加载到系统中。 4．电子束着屏偏移 在热变形分析的基础上，通过开发荫罩热变形电子束偏移程序，即 可根据需要计算各位置点和各时刻的电子束着屏偏移。 三、分析结果 PF 通过对40cmCPT系统实际工作的仿真分析，根据CPT系统的实 际情况，完成Pro／E实体模型的处理和ANSYS几何模型的装配(见如下 PF 图1)，并对40cm CPT系统进行了完整的分析计算。图2～3是热分析 计算结果，图45是热变形分析图示，图6是屏中心外表面温度测试与 计算结果对比图，图7给出了屏上特征点电子束着屏偏移的量计算和实 测值随时间变化的曲线图。 图1．CPTANSYS几何装配图 图2．10000秒(稳态)荫罩温度分布图 图3．荫罩、框架、屏特性点瞬态温度变化图 图4．480秒荫罩变形云图 图5．8000秒(稳态)荫罩变形云图 19 温度时阃曲线 f 一舅 _‘= ／ E=●， ^ 沙 r，