2_第二讲_单级放大器案例.ppt

4、输入阻抗（考虑沟道长度调制效应） 根据小信号模型计算可得： 若RD较大， 则共栅级的 输入阻抗大， 只有RD较小， 输入阻抗才 相对小。 59 5、输出阻抗（考虑沟道长度调制效应） 通过对小信号模型的计算可得 共栅极放大器具有较高的输出阻抗 60 2.4 共源共栅级放大器 61 共源共栅结构： 共源极和共栅级的级联（cascode结构），M1为输入器件，产生和Vin成正比的漏电流；M2为共源共栅器件，使电流流过RD。 1、共源共栅结构的偏置条件 保证M1、M2工作在饱和区的最小Vout等于M1和M2的过驱动电压之和(M2层叠在M1之上）。 62 2、输入输出特性（大信号分析） 1）Vin≤Vth1 ， M1,M2截止。 Vout=VDD Vx≈Vb-Vth2 2）Vin Vth1，M1、M2饱和导通，Vout下降。 3）随着Vin增加，ID2增加，VGS2增加，Vx下降。 4）当Vin足够大，则： 若Vx下降到Vin－VTH1时，M1进入线性区； 若Vout下降到Vb－VTH2时，M2进入线性区。 63 3、小信号分析 （1）增益 因为输入器件的漏电流和共源共栅器件的漏电流相等， 因此，Av＝－gm1RD（和共源级增益表达式一样）。 64 （2）输出阻抗 对小信号等效电路进行计算可得 可看成带 源极负反 馈的共源 级 共源共栅结构的输出阻抗很高，M2将M1的 输出阻抗提高了(gm2+gmb2)ro2倍。 65 对于右图所示的电路： Av＝－GmRD M1、M2都工作在饱和区，则 提高输出阻抗可以提高增益！增益约为晶体管本征 增益的平方。 电流源阻抗近似无穷大 66 4、共源共栅放大器的应用 （1）作为恒定电流源 高的输出阻抗提供一个接近理想的电流源。但牺牲了电压余度。 采用PMOS共源共栅的NMOS共源共栅放大器 Vout,s=VDD-(Vod1+ Vod2+ Vod3+ Vod4) 67 （2）共源共栅结构的屏蔽特性 对于高输出阻抗，如果输出结点电压变化 △V，相应在共栅器件源端的电压很小。 共源共栅晶体管可“屏蔽”输入器件，使其不受输出结点电压的影响 68 5、折 叠 式 共 源 共 栅 折叠式共源共栅，小信号电流分别向上或向下“折叠”。 该结构的总偏置电流应比普通的共源共栅结构大，才能 获得与之相当的性能。 输入器件、共源共栅器件不是同一类型 给共源共栅两个器件提供偏置 69 折叠式共源共栅大信号特性 假设Vin从VDD→0 VinVDD-｜Vthp｜,M1截止，I1全流过M2 Vout=VDD-I1RD Vin≤VDD-｜Vthp｜, M1饱和导通 Vin继续下降，ID1趋向大于I1，但I1为电流源，所以M1进入线性区以使ID1=I1，此时 ID2=0，M2截止， Vout=VDD 70 折叠式共源共栅输出电阻 比套筒式共源共栅输出阻抗低 折叠式共源共栅的优势在于输入电压可以接近于电源的一端。 71 6、器件模型的选择 问题：如何选择一个足够精确的模型或表达式来反映放大器的特性？ 一般性规则： 1. 将电路拆分成为许多熟悉的结构 2. 针对每一个子电路，用最简单的晶体管模型表示所有的管子 。如果器件的漏极接有高阻抗，则将r0加到模型中去。 3. 进行更精确的迭代，以考虑那些源或衬底没有交流接地的器件的体效应 72 4、对于偏置的计算，在第一步计算时忽略体效应和沟道调制效应是满足要求的，虽然存在一些误差，但有助于了解电路的基本特性。 5、电路仿真必不可少，但仍需分析，只有深入了解电路原理的工作，才能验证仿真的结果。 不要让计算机替你思考！ 73 * 要提高增益，可以提高r0，过驱动电压及电流不变，同时增大M2的长宽可以获得较小的λ。代价是在输出结点上引入较大的电容。 长沟道器件可以产生高的电压增益。 △L/L＝λVDS 27 对于给定漏电流，对于M1而言 若只增加L，则过驱动电压增加，则会限制输出摆幅。 gm1会减小。 实际应用中，对于M1，可以在增大L1的同时，W1可以保持不变，因为本征增益： λ比gm更依赖于L，因此增益仍随L的增加而增加。 如果只增加L而不等比例增加W，情况会如何？ 28 对于M2而言，L2增加的同时，可以保持W2不变，可以提高增益，代价是增加|VDS2|来保证M2工作在饱和区，输出摆幅减小。 过驱动电压增加 29 2.1.4 以工作在线性区的MOS为负载的共源极 等效为一个线性电阻 工作在深线性区，栅压必须偏置在足够低的电平。 VSG足够大 30 缺点： Ron2对 的依赖。 优点： 消耗的