2-半导体特性(自学为主)案例.ppt

第二章 半导体材料特性 课程大纲 描述原子，包含其价电壳、能带理论与离子。 解释周期表关于主族元素的部分，同时说明离子键与共价键如何形成。 由电流之流动观点说明材料之3大分类。 解释电阻率、电阻与电容，并能详细叙述这些参数于晶圆制造时之重要性。 叙述纯硅，同时说明为何其能成为最重要半导体材料之4项原因。 解释掺杂并且说明为何加入3价与5价掺质可使得硅成为有用之半导体材料。 讨论p型硅 (受体) 与n型硅 (施体)，描述加入掺质如何改变其电阻率并解释pn接面。 讨论以砷化镓为重点的其它半导体材料。 原子结构 原子：包含中子、带正电荷的质子和带负电荷的电 子 元素：同种原子构成的最简单的物质，具有特定的物理和化学性质 电子 电子能级 价电子层 固体能带理论 离子 钠和氯原子的电子壳层 固体能带宽度 离子：当一个原子失去或得到一个或多个电子时成为离子。 带上相反电荷的离子相互吸引，能够构成化学键形成离子化合物。 周期表 常用元素特性 离子键 共价键 元素周期表的元素框 ① 在任何原子中都有数量相等的质子和电子。 ② 任何元素都包括特定数目的质子，没有任何两种元素有相同数目的质子。 ③ 有相同最外层电子数的元素有着相似的性质。 ④ 最外层被填满或者拥有8个电子的元素是稳定的，这些原子在化学性质上要比最外层未填满的原子更稳定。 ⑤ 原子会试图与其他原子结合，而形成稳定的条件 — 各轨道被填满或者最外层有8个电子。 离子键：当价电层的电子从一种元素的原子转移到另一种原子上时就形成了离子键。 共价键：不同元素原子通过共有电子来使价电层完全填充而变得稳定。 材料分类 导体：电子容易以电流方式通过的材料 绝缘体：对电流通过具有很高阻值的材料 半导体：既能充当导体也能充当绝缘体 材料传导电流的性质称为导电性。 材料的导电性通常用电导率或是电阻率表示。这两个参数只与材料本身相关。 C = 1 / ? C =电导率； ? =电阻率，以欧姆· 厘米(?·cm) 表示 三种最好的电导体分别为铜、银、金 它们出现在元素周期表中处于同一列。 绝缘体：有很高的禁带宽度来分隔开价带电子和导带电子。日常生活中的绝缘体有橡胶、塑料和陶瓷等。 绝缘体的电导率可以通过掺入杂质而增加，如在水中加盐。 半导体制造中得绝缘体包括二氧化硅和氮化硅等。 水中加入杂质以增加其导电性 电容：电容是把电荷存储在被电介质分隔开的两个导电极板上的存储装置。单位是法拉。集成电路中常用单位是pF或是fF。 在半导体电路中，MOS结构、不同的金属层之间都会形成电容。 基本的电容器结构 K = 介电常数 (F/cm) A = 极板面积 (cm2) S = 极板之间距离 (cm) 电池对电容器的充电 电容器保存电荷 低k介电材料 半导体：具有较小的禁带宽度（Si为1.1eV），其值介于绝缘体与导体之间。 半导体制造中最重要的半导体材料是硅。锗材料与化合物半导体砷化镓也被用来制造集成电路。 硅 纯硅 为何采用硅？ 掺杂硅 掺杂剂材料 n型硅 p型硅 掺杂硅的电阻率 Pn结 为什么硅能成为主要的半导体材料？ 硅的丰裕度 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 更宽的工作温度范围 氧化硅的自然生产（稳定的绝缘层，保护硅不受沾污，避免漏电） 半导体材料在其本征状态是不能用于固态元件的。但是通过一种叫做掺杂的工艺，可以把特定的元素引入到本征半导体材料中。这些元素可以提高本征半导体的导电性。 掺杂是通过加入某种元素到纯硅中以明显增加半导体导电性的过程。 掺杂时加入的元素称为掺杂剂或杂质。 掺杂硅：又称非本征硅。 掺杂的材料表现出两种独特的特性，它们是固态器件的基础。这两种特性是： （1）通过掺杂精确控制电阻率； （2）电子和空穴导电。 把在半导体材料中形成P型导电的掺杂剂叫做受主(acceptor)。 在半导体材料中形成N型导电的掺杂剂叫做施主(donor)。 掺杂硅的电阻率与掺杂程度的关系（把材料中的电子或空穴叫做载流子。纵坐标为载流子浓度。） 图中有两条曲线：N型与P型。这是因为在材料中移动一个电子或空穴所需的能量是不同的（移动一个电子比移动一个空穴所需的能量要小 ）。如图所示，在硅中要达到指定的电阻率，N 型所需掺杂的浓度要比 P 型小。 N型半导体 为理解N型半导体，下面以 N型硅 为例。如下图所示，将很少量的砷（As）掺入硅（S