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IGBT死区补偿方法研究 IGBT死区补偿方法研究 魏彦江，于泳，王高林 (哈尔滨工业大学电气工程系，哈尔滨150001) 摘要：对三相桥式逆变器死区效应进行了理论分析，阐述了死区效应对逆变器输出电压的影 响，并介绍了一种死区时间的加入方法，在此基础上提出了一种基于SVPWM控制的逆变器死区 补偿方法——对称补偿法，有效改善了死区效应引起的电流畸变，实验结果证明了理论分析的 正确性和该方法的可行性和有效性，并在变频器设计中得到了成功应用。 关键词：死区效应；死区补偿；空间电压矢量脉宽调制；变频器 下降越多，电流波形畸变也就越严重。 O 引 言 死区效应不仅影响输出电压的幅值，还影响 目前越来越多的变频器都采用IGBT作为功率其相位；死区效应使PwM波形不再对称于中心， 器件，但是众所周知，任何固态的电子开关器件 因此，空间电压矢量的幅值产生偏差，相位也发 都具有一定的固有开通和关断时间。为了保证逆 生变化。图1显示了存在死区效应的PWM波 变器上下两个桥臂不会同时导通，这段上下两个 形图。 桥臂同时关断的时间就称为死区时间。它引起的 开关死区效应简称为死区效应。虽然人们对死区 2 死区时间对输出电压的影响 效应进行了很多有成效的研究，提出了一些补偿 死区时间最直接的影响是降低了系统的电压 策略，如采取相角预测补偿的相位补偿，采用分 输出能力，并且出现相位偏差，由其引起的高次 段同步调制使L随着‰M按比例变化的比例调整 谐波电压还会使电机的损耗增加，转矩出现脉动 法等，但是各有优劣，对死区效应的深入研究仍 等。电压的畸变程度与死区时间瓦、开关频率．无 然很有必要。 成正比，而与系统的输出频率成反比，因此系统 1 死区效应 在低频区受到的影响最大。 在三相桥式逆变器系统中，同一桥臂上的两 个开关器件工作在互补状态。由于一般开关器件 的开通时间小于关断时间，因此如果将互补的控 制信号加到同一桥臂上的两个开关器件的控制极 上，那么这两个开关器件将会发生“直通”现象， A+l广]r]r]几n 其后果是严重的，因此需要对互补的两个控制信 A—n r1：几厂]厂]厂 号进行处理。通常采用附加死区的方法，使应开 Al+L厂1同几几n- Al_门 『l；n广_L厂_LJ． 通的器件延时一定的死区时间后再开通。这段时 间由所选用的开关功率器件的特性决定，对于IG 玑廿习学乇垌=丹墨 BT而言，一般取3斗s一7炉。在这段时间内输出 “L—}—丁—．Ⅱ』 信号是不可控的，一般称之为控制死区时间，它 图l存在死区时间的PwM时序图 引起控制死区效应。开关死区效应和控制死区效 应共同形成了逆变器的死区效应。 误差电压与理想电压、实际输出电压的定性 死区效应对会对逆变器产生很大的影响。死 关系如图2所示。死区时间对逆变器输出电压及输 区时间越长，则逆变器输出基波电压损失就越大， 出基波电压影响的定量分析如下：假设载波频率 电压波形畸变程度也会变大；负载基波电流幅值 非常高，也就是