- 1、本文档共45页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
* 第*页 (2)“电平变换”功能 例用TTL门驱动CMOS电路: CMOS电路工作电压为3-18v,例电源电压VDD=10V,则低电平5V,高电平5V。 TTL门输出高电平对工作在10V 的CMOS电路来说则被认为低电平。 TTL门:低电平0.3V,高电平3.6V 解决方法:用OC门实现电平变换 Y TTL CMOS VDD=10V TTL门输出低电平由TTL决定(0.3V),高电平后级CMOS电源决定(10V) * 第*页 三、三态输出门电路 1.电路组成和符号 T4 T5 T2 T1 A Y D B 1 1 EN Vcc T4 T5 T2 T1 A Y D B 1 Vcc A B EN Y A B EN EN Y 2.原理 当EN=1时,P点高电平,D截止,与非门正常工作: P 当EN=0时,P点低电平,D导通, T4截止 T5截止 输出呈高阻状态 三态 0 1 高阻 高阻 * 第*页 3.三态门的应用 (1)总线:用同一导线轮流传输若干个信号 A1 B1 EN1 EN A2 B2 EN2 EN An Bn ENn EN … 总 线 注意:EN1 、 EN2 … ENn同一时刻只有一个有效 (2)双向传输 EN=1时,G1工作,G2高阻,输出 EN=0时,G2工作,G1高阻,输入 1 EN D0 1 EN EN G2 G1 双向端口 * 第*页 CMOS:互补对称式金属-氧化物-半导体电路 Complementary-symmetry Metal Oxide Semiconductor 设T1 的开启电压为VGS(th)P,T2的开启电压为VGS(th) n 特点:无论VI为高电平或低电平,M1和M2总有一个导通,一个截止 M1是P沟道增强型MOS管,M2是N沟道增强型MOS管 2.6 CMOS逻辑电路 2.6.1 CMOS反相器 一、电路结构 逻辑非关系 T1 T2 VO VI VDD iD VSS 一般 ,CMOS器件电源电压为3~18V T1导通 T2截止 T2导通 T1截止 1.组成 2.原理 * 第*页 电压传输特性 0.5VDD Vo VI VDD VGS(th)n ?VGS(th)p ? VDD 1/2VDD A B C D E F 电流传输特性 iD VI VGS(th)n ?VGS(th)p ? VDD 1/2VDD A B C D E F iD VDS VGS? VDS =VGS—VGS(th) iD VDS ? VGS ? ? VDS =VGS-VGS(th) 二、电压传输特性和电流传输特性 T1 T2 VO VI VDD iD VSS * 第*页 电压传输特性和电流传输特性 AB:VIVGS(th)n,VGS2 VGS(th)n ,?VGS1?? VGS(th) p?, ?VDS1? ?VGS1- VGS(th) p ? ,M1非饱 和导通 (低阻电阻区), M2截止,Vo=VoH=VDD BC:VIVGS(th)n ,VGS2 ? VGS(th)n ,VDS2 =VoVGS2- VGS(th)n ,?VGS1??,Vo? , ?VDS1???VGS1- VGS(th) p ?,M2开始导通(饱和区), M1非饱 和导通 CD:VI ? ,VGS2 VGS(th)n ,VDS2 VGS2- VGS(th)n ,?VGS1?? VGS(th) p ?, ?VDS1? ?VGS1- VGS(th) p ? ,M2和M1 ,饱和导通; DE:VI ? ,VGS2 VGS(th)n ,VDS2 VGS2- VGS(th)n , M2非饱 和导通(低电阻区) ,M1饱和导通; EF:VI ? ,?VGS1?=VDD-VI? VGS(th) p ?, M2非饱 和导通(低电阻区),M1截止区 VN≈1/2VDD,抗干扰能力最强 三、噪声容限 * 第*页 2.6.2 CMOS反相器的输入、输出特性 一、输入特性 1.保护电路 必要性? 栅极绝缘电阻太大,受静电干扰且静电电荷无法泄放,在栅极上感应很高的静电电位而击穿栅极。 常用的输入保护电路 VO VI VDD VSS D2 RS D1 VO VI VDD VSS D2 RS D1 (a)4000系列 (b)74HC系列 输入特性 -0.7VviVDD+0.7V时:Ri≈∞,iI ≈0; vi -0.7V时:Ri≈ RS , vi , iI vi VDD+0.7V时:Ri≈ RS 。 vi , iI * 第*页 二、输出特性 T1 VOH VIL=0 VDD IOH RL
您可能关注的文档
- 20婴幼儿、学龄儿童、青少年生理特点与营养试卷.ppt
- 20有的人试卷.ppt
- 第八章同步电机导论.ppt
- 8公民的人格尊严权和隐私权试卷.ppt
- 5,世说新语两则的试卷.ppt
- 磁路和变压器导论.ppt
- 第八章现代物理实验方法导论.ppt
- 5、《灰雀》试卷.ppt
- 聪明的小高斯12导论.ppt
- 8管道第5章(5.3排水)试卷.ppt
- 数据仓库:Redshift:Redshift与BI工具集成.docx
- 数据仓库:Redshift:数据仓库原理与设计.docx
- 数据仓库:Snowflake:数据仓库成本控制与Snowflake定价策略.docx
- 大数据基础:大数据概述:大数据处理框架MapReduce.docx
- 实时计算:GoogleDataflow服务架构解析.docx
- 分布式存储系统:HDFS与MapReduce集成教程.docx
- 实时计算:Azure Stream Analytics:数据流窗口与聚合操作.docx
- 实时计算:Kafka Streams:Kafka Streams架构与原理.docx
- 实时计算:Kafka Streams:Kafka Streams连接器开发与使用.docx
- 数据仓库:BigQuery:BigQuery数据分区与索引优化.docx
文档评论(0)