太阳能硅片检测方法概要.pptxVIP

瑟米莱伯（中国）公司 Semilab China 上海浦东新区商城路889号波特营B2幢3楼 （200120） Tel: 021 Fax: 021E-mail: semilab@ Web site: 太阳能硅片检测方法 2011年7月 SEMILAB CHINA 2 内容提要 准稳态微波反射光电导（QSS μ-PCD）技术 Quasi Static State Microwave PhotoConductivity Decay 表面光电压（SPV）技术测量扩散长度 Surface PhotoVoltage Diffusion Length Inline PL检测技术 Photoluminescence Imaging SEMILAB CHINA 3 准稳态微波反射光电导（QSS μ-PCD）技术 传统的μ-PCD 测量技术 SEMILAB CHINA 4 传统的μ-PCD 测量技术： 不能得到准确的注入水平值 不能得到太阳能电池片工作状态下的有效寿命值 传统的μ-PCD 测量技术 SEMILAB CHINA 5 Semilab引入准稳态微波反射光电导QSS μ-PCD技术 QSS μ-PCD测量技术特点 SEMILAB CHINA 6 QSS μ-PCD技术 测量过程中使用两束光 背景光（用于产生稳态）和激发光（用于激发过剩载流子） 背景光是连续光，光强可调 0-1.5 Sun，未来范围更宽 测量过程中一直处于准稳态 激发光强远小于背景光的光强，只对稳态造成造成微扰 背景光强，即产生速率，是经过标定的，因此可以准确得到注入水平值 可以测量真实工作状态下的有效寿命 传统的μ-PCD与QSS μ-PCD之间的比较 SEMILAB CHINA 7 复合 dn/dt = - ?n/?eff 产生 dn/dt = G G - ?nss/?eff = 0 dn/dt = 0 QSS μ-PCD中注入水平可调 8 QSS μ-PCD可以测量不同稳态产生速率下的有效寿命值 ，而且对应的注入水平是精确确定的 （G1, G2, G3, …Gk）------ （?n1, ?n2, ?n3… ?nk）------ （?1, ?2, ?3…?k ） 注: 在测量中，为 G的改变预留的时间要远大于少子的有效寿命。 SEMILAB CHINA 传统的μ-PCD与QSS μ-PCD之间的比较：测试举例 SEMILAB CHINA 9 传统 μ-PCD技术 QSS μ-PCD技术 测试条件 样品： SiN/a-Si/Si QSS光强： 1 Sun 测试结果 寿命值：41μs Vs 305μs 均匀性不同 利用QSS μ-PCD测试技术可以得到更多的信息 QSS μ-PCD的应用：测试举例 SEMILAB CHINA 10 样品 高质量FZ硅片，表面生长有氧化层，L0 = 1400μm (用SPV技术测得)，τb = 590μs，Fe含量低 用CORONA电荷将硅表面置于反型、耗尽或累积状态 注入水平Δn, 是用测量得到的有效寿命 τeff 和产生速率（QSS光强）计算得到的 有效寿命-QSS光强曲线 有效寿命- QSS 注入水平曲线 QSS μ-PCD的应用：测试举例 SEMILAB CHINA 11 样品 钝化层为a-Si QSS 光强： 1 Sun 测试结果表明：钝化均匀性不大好。这与a-Si钝化的普遍特点符合。 QSS μ-PCD的应用：发射极饱和电流J0 SEMILAB CHINA 12 双面钝化的发射极 SEMILAB CHINA 13 表面光电压（SPV）技术测量扩散长度（体寿命） 传统的μ-PCD、QSS μ-PCD和SPV技术比较 SEMILAB CHINA 14 传统的μ-PCD和QSS μ-PCD的共性 不能完全排除表面的贡献，测量结果为有效寿命 Semilab引入SPV测量扩散长度 可以直接测量体寿命（扩散长度相当于体寿命） 绝大多数样品不需要进行预处理 Semilab SDI的SPV技术处于世界领先水平，已在IC中得到了广泛的应用 为PV行业做了量体裁衣的改进：增加光强，提高信噪比 测量扩P或扩B后的半成品以及最终的电池片成品时需要高光强 测试速度快 不同光波长使用不同的调制频率，因此可以同时提取多个波长产生的SPV信号，实现快速、精确测量 扩散长度测量范围的上限最高可以达到样品厚度的4倍 可以测量硅片、扩P或扩B后的半成品以及最终的电池片成品 可以测量背面的有效表面复合速率 SPV技术测量扩散长度: Ultimate SPV SEMILAB CHINA 15 最新的Ultimate SPV技术采用： 光束中包括全套波长 不同波长使用不同的调制频率 SPV技术测量扩散长度举