6.场效应管识别与测量试卷.ppt

漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 　　利用半导体内的电场效应，通过栅源电压 VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流 ID。 JFET 工作原理： 　　综上所述，JFET 与 MOSFET 工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 NJFET 输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID 同时受 VGS 与 VDS 的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS – VGS(off) 3、　结型场效应管特性曲线伏安特性曲线 线性电阻： ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V 饱和区(放大区) 特点： ID 只受 VGS 控制，而与 VDS 近似无关。 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V 数学模型： 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 　　在饱和区，JFET 的 ID 与 VGS 之间也满足平方律关系，但由于 JFET 与 MOS 管结构不同，故方程不同。 截止区 特点： 沟道全夹断的工作区 条件： VGS VGS(off) IG ? 0，ID = 0 击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极 PN 结雪崩击穿 ID/mA VDS /V O VDS = VGS – VGS(off) VGS = 0 V -2 V -1. 5 V -1 V -0. 5 V ? 造成 ID 剧增。 VGS 越负? 则 VGD 越负 ? 相应击穿电压 V(BR)DS 越小 JFET 转移特性曲线 　　同 MOS 管一样，JFET 的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。 ID = 0 时对应的 VGS 值 ? 夹断电压 VGS(off) 。 VGS(off) ID/mA VGS /V O IDSS (N 沟道 JFET) ID/mA VGS /V O IDSS VGS(off) (P 沟道 JFET ) VGS = 0 时对应的 ID 值? 饱和漏电流 IDSS。 二、各类场效应管的比较 1、各类 FET 管 VDS、VGS 极性比较 VDS 极性与 ID 流向仅取决于沟道类型 VGS 极性取决于工作方式及沟道类型 　　由于 FET 类型较多，单独记忆较困难，现将各类 FET 管 VDS、VGS 极性及 ID 流向归纳如下： N 沟道 FET：VDS 0，ID 流入管子漏极。 P 沟道 FET：VDS 0，ID 自管子漏极流出。 JFET 管： VGS 与 VDS 极性相反。 增强型：VGS 与VDS 极性相同。 耗尽型：VGS 取值任意。 MOSFET 管 2、场效应管与晶体管的比较 （1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 （2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。 （3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。。 ３、 场效应管与三极管比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 三 极 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 ４．场效应管使用注意事项： （1）场效应管在使用中要注意电压极性，工作电压和电流的数值不能超过最大允许值。 （2）为了防止栅极击穿，要求一切测试仪电烙铁都必须有外接地线，焊接时用小功率烙铁迅速焊接，或切断电流后利用余热焊接，焊接时应先焊源极，或焊接栅极。 （3）绝缘栅极效应管的电压阻抗极高，故不能在开路状态下保存，即使不使用也应将三个极短路，以防止将栅极击穿，结型场效应管则