第二单元晶体结构与晶体中的缺陷.pptVIP

缺陷反应： 根据质量作用定律: ∴ Cu2O、FeO属于这种类型的缺陷。当在晶格中存在阳离子空位时，为了保持电中性，在正离子空位周围捕获电子空穴。 4）阳离子空位型（负离子过剩） 以Fe1-xO为例：可看作Fe2O3在FeO中的固溶体。 等价于： 由此可见，铁离子空位本身带负电，为了保持电中 性，两个电子空穴被吸引到这空位的周围，形成一种V- 色心。 缺陷反应： 小结： 以非化学计量的观点来看问题，世界上所有的化合物，都是非化学计量的，只是非化学计量的程度不同而已。 固溶体的研究方法 1、最本质方法：X-ray衍射分析方法。 2、维加（Vegard）定律： 二元等价置换固溶体 的晶胞参数a与外加溶 质的浓度c成线性关系： 3、理论密度计算 计算方法与步骤 1）先写出可能的缺陷反应方程式 2）根据缺陷反应方程式写出固溶体可能的化学式 3）由化学式可知晶胞中有几种原子质点，计算出晶胞中 第i种质点的质量： 据此，计算出晶胞质量W ，这里n为晶胞中原子质点的种类 4）求出晶胞体积V：根据晶胞参数计算各晶系的晶胞体 积V 5）求出理论密度D理： D理计算举例 计算物质的量组成为0.15CaO-0.85ZrO2固溶体的理论密度D理 1）先写出可能的缺陷反应方程式 氧离子空位型： 阳离子间隙型： 氧离子空位型固溶体： 2）根据缺陷反应方程式写出固溶体可能的化学式 阳离子间隙型固溶体： Zrl-xCaxO2-x Zrl-xCa2xO2 分析：ZrO2属立方晶系，萤石结构，每个晶胞中有4个阳离子和 8个阴离子。 3）计算晶胞质量W 对于氧离子空位固溶体Ca0.15Zr0.85O1.85 4）求出晶胞体积V V=a3=(0.513×10-7)3=135.1×10-24cm3 5）求出理论密度D理 实际值为5.447g/cm3 线缺陷（位错） 完整晶体塑性变形（滑移的模型）→金属晶 体的理论强度比实测强度高出几个数量级→ 晶体 线缺陷模型→ 以位错滑移模型计算出的晶体强 度，与实测值基本相符。 位错模型的提出 单晶试棒在拉伸应力作用下的变化（宏观） τ τ 滑移的结果：塑性变形，表面形成台阶。 外力作用下晶体滑移示意图（微观） 1、定义：指在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、 规则性排列所产生的缺陷。 3、位错类型 1）刃位错：柏格斯矢量与位错线垂直的位错。 分类：正刃位错， “┻” ；负刃位错， “┳ 。 刃位错形成示意图 螺旋位错形成示意图 位错线(EF) 半原子面 (EFGH) 2）螺旋位错：位错线与滑移方向相互平行，位错线周围 的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面，故称为 螺位错。 几何特征：位错线与原子滑移方向相平行；位错线周围 原子的配置是螺旋状的。 分类：有左、右旋之分，分别以符号“?”和“?”表示。其 中小圆点代表与该点垂直的位错，旋转箭头表示螺旋的 旋转方向。它们之间符合左手、右手螺旋定则。 混合位错形成示意图 3）混合位错：位错线与滑移方向既不垂直也不平行，这 样的位错称为混合位错。 4、位错研究方法 主要是利用光学显微镜、X-ray衍射分析仪和电子显 微镜等来进行直接观察或间接测定。 * 在地壳中形成矿物时，由于成矿的环境不可能十分纯净，矿物组成中常含有其它元素，加之硅酸盐晶体中的正负离子都可以被其它离子部分或全部地取代，这就使得硅酸盐晶体的化学组成甚为复杂。因此，在表征硅酸盐晶体的化学式时，通常有两种方法：一种是所谓的氧化物方法，另一种是无机络盐表示法。 氧化物方法：即把构成硅酸盐晶体的所有氧化物按一定的比例和顺序全部写出来，先是1价的碱金属氧化物，其次是2价、3价的金属氧化物，最后是SiO2。例如，钾长石的化学式写为 K2O·Al2O3·6SiO2； 无机络盐表示法：把构成硅酸盐晶体的所有离子按照一定比例和顺序全部写出来，再把相关的络阴离子用 [ ]括起来。先是1价、2价的金属离子，其次是Al3+和Si4+，最后是O2-或OH—。如钾长石为K[AlSi3O8]。 * 硅酸盐晶体化学式中不同的Si/O比对应基本结构单元之间的不同结合方式。X射线结构分析表明，硅酸盐晶体中[SiO4]四面体的结合方式有岛状、组群状、链状、层状和架状等五种方式。硅酸盐晶体也分为相应的五种类型，其对应的Si/O由1/4变化到1/2，结构变得越来越复杂，见表2-5。 * 图//// * 图 * 层状结构是每个硅氧四面体通过3个桥