DDR and ODT Simulation.docVIP

本文以Micron DDR2_800的IBIS Model為例，說明如何模擬DDR2 IO的Full drive、Half drive、ODT、串聯終端，與戴維寧(Thevinin)終端。 Design/Nexxim v4.0不支援IBIS的Submodel、Terminator語法，故要模擬ODT，需要升級到Design/Nexxim v4.1. 有點要特別說明的：ODT (On-Die Termination)只在data bus (DQ pin)為receiver mode時才有作用。這從IBIS的語法的可以看出來：如下圖所示 [Add_submodel] 的Mode=Non-Driving，查詢IBIS spec.可知，表示for receiver or high-Z mode only. DDR2的address bus是沒有ODT的 Full/Half drive waveform Full drive with ODT 50/75/150 waveform Half drive with ODT 50/75/150 waveform Full drive with Thevinin termination waveform Half drive with Thevinin termination waveform Full drive with Rs termination waveform Half drive with Rs termination waveform 補充分析：開ODT就不需要有外接並連終端RT to VTT=0.9V嗎?? 補充一份Hynix用Ansoft Tool所做的DDRII design Guide 以Designer/Nexxim建立一個特性阻抗50 ohm、2000mils長的傳輸線，左端代入DDR2的DQ model setting output mode，右端代入DDR2的DQ model setting input mode： Step 1：從Project Manager window中Components標籤頁，Nexxim Circuit Element \ Ideal Distributed \ 選定 TRLK_NX：Transmission Lines, Physical Length，拉出micronstrip model到線路編輯視窗內。設定傳輸線特性阻抗Z=50，線長2000 mils。 Step 2：Tools \ Import IBIS Components選定Micron的DDR model u48b.ibs，會跳出一個Import IBIS對話框，按OK確定。此時在Project Manager window中Components標籤頁內就可以看到Micron DDR IO的IBIS model Step 3：選擇DQ_u48該項，拉到線路編輯視窗內，利用enable pin設定一個為output，一個為input。模擬data bus上的雙向傳輸IO。 選定DQ_u48 component，可在左下方Properties設定視窗中，找到一欄Model，在此可以選擇Drive mode + Speed mode + ODT mode，一開始先選DQFULL_1066來模擬沒有開ODT的DDR2_800，如右圖所示。(如果要Enable ODT，則改選DQFULL_ODTXX_1066) 　 Step 4：加入1.8V DC source (V_DC)、Pattern source (V_CLOCK_W_JITTER)、GND、Voltage probe，設定V_CLOCK_W_JITTER。(TR=TF=200ps, PW=1.05ns, PER=2.5ns) Step 5：Analysis setting，執行模擬 Full/Half drive waveform? Half drive比Full driver好許多，看來是DDR output full drive能力太強引起的reflection。(加串聯終端Rs一定有效) DQFULL接收端波形比輸出端over-shooting嚴重，可能是訊號反射(reflection)。加上Terminator或Enable ODT看看? Full drive with ODT 50/75/150 waveform? 因為傳輸線特性阻抗50 ohm，取ODT 50ohm最好，且enable ODT可以同時改善輸出端與接收端的SI。 Half drive with ODT 50/75/150 waveform? Full dri