LED外延制造工艺技巧.ppt

目前发光二极管用的都是直接带隙材料 光是一种能量的形态，是一种电磁波。 在同一介质中，能量从能源出发沿直线向四面八方传播,这种能量传递的方式通常叫做辐射。 通常可以用波长来表达人眼所能感受到的可见光的辐射能量。 光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（mm） 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg。 Eg越大，所发出的光子波长就越短，颜色就会蓝移。反之， Eg越小，所发出的光子波长就越长，颜色就会红移。 若要产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应该在1.59～3.8eV之间。 Bake Buffer TB TW DW DB EB EW LB P-SLS P-GaN P-InGaN LT-nGaN HP-nGaN LP-nGaN 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PSS衬底 PSS: Patterned Sapphire Substrate (图形化衬底) 使用PSS衬底以提高出光效率 外延基础 3E Semiconductor Create the Light, Light the World Microscope PL EL XRD Bowing 观察表面是否有异常 外延片表面等级判定 光致发光 波长 强度 均匀性 电致发光 波长 亮度 电压 晶体质量 材料组分 周期厚度 外延片翘曲度 外延片测量 LEI 表面电阻 外延测量 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PL测量 光致发光是半导体的一种发光现象，利用光照射到材料表面，其电子吸收光子而跃迁到高能级，处于高能级的电子不稳定，会回落到低能级，同时伴随着能级差的能量以光辐射的形式发射出来。这个过程就是光致发光，即PL。 Photoluminescence （PL）：光致发光 3E Semiconductor Create the Light, Light the World PL测量 Peak wavelength: 峰值波长 （446~452） Dominant wave: 主波长 FWHM：半峰宽 Thickness: 外延片的总厚度 3E Semiconductor Create the Light, Light the World EL测量 Electroluminescent （EL） 通过加在两电极的电压产生电场，被电场激发的电子碰击发光中心，而引致电子能级的跃进、变化、复合导致发光的一种物理现象。 Pout： 在一定的激发电流下得到的发光亮度。通过积分球收集激发出的光子得到。 VF1：0.1uA驱动电流下的正向电压 VF4: 20mA驱动电流下的正向电压 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 什么样的wafer是好的产品？ 通过光致发光谱查看生长的wafer的波长分布 X射线衍射得到晶体质量的数据 通过面电阻测试得到n型半导体的掺杂量（Si掺杂） 通过显微镜观察wafer表面形貌 (是否有缺陷存在) 通过芯片制程验证wafer的各项电性能数据 肉眼观察下的wafer 显微镜观察下的wafer 3E Semiconductor Create the Light, Light the World LED基础知识及外延工艺 3E Semiconductor Create the Light, Light the World LED的发光原理 LED的特点 白光LED的实现 外延基础知识 纲 要 LED是“light emitting diode”的英文缩写。 中文名:发光二极管。 LED是一种将电能转换为光能的固体半导体器件。 LED实质性核心结构是由元素谱中的Ⅲ-Ⅳ族化合物材料构成的p-n结。 3E Semiconductor Create the Light, Light the World 半导体简介 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，室温电阻率ρ介于金 属与绝缘体之间 金属 10?6 (Ω·cm) 半导体 10?3 ～ 106 (Ω·cm) 绝缘体 1012 (Ω·cm) 半导体有两种载流子 电子(electron, negative)和空穴(hole, positive) P-N结：通过p型和n型半导体材料紧密接触而形成的结。 半导体种类: 单质半导体：Si、Ge 化合物半导体：GaN、GaAs、GaP、ZnO、SiC 3E Semiconductor Create