安大《模拟电子技术基础》各章复习题浅析.doc

模拟电子技术第1章习题 本征半导体是_完全纯净的、结构完整的半导体晶体，在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于__，而少数载流子的浓度则与_有很大关系。 和 空穴 两种载流子参与导电，其中 空穴 带正电，而 自由电子 带负电。 PN结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 PN结加反向电压时，空间电荷区将 变宽 PN结在无光照、无外加电压时，结电流为 零。 PN结的基本特点是 单向导电性。 当外加电压使PN结的P区电位高于N区电位时，称为PN结__偏置PN结PN结PN结PN结 增加 ，因而少子漂移而形成的反向电流 增加 ，二极管反向伏安特性曲线 下 移。 硅管的导通电压比锗管的 高 ，反向饱和电流比锗管的 小 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 二极管具有单向导电性，稳压二极管正常工作时是利用二极管的特性硅稳压二极管在稳压电路中稳压时，工作于 状态。 电 信号，它工作时需加 正向 偏置电压 1、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图1 解：UO1≈1.3V，UO2＝0，UO3≈－1.3V，UO4≈2V，UO5≈1.3V，UO6≈－2V。 2、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 解：UO1＝6V，UO2＝5V。 3、 电路如图P1 所示，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uO的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 图P1 解图P1 解：ui和uo的波形如解图P1 所示。 4、 电路如图P1.4所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 图P1.4 解图P1.4 解：波形如解图P1.4所示。 5、 电路如图P1.6所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：二极管的直流电流 ID＝（V－UD）/R＝2.6mA 其动态电阻 rD≈UT/ID＝10Ω 故动态电流有效值 Id＝Ui/rD≈1mA 图P1.6 6、现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压为0.7V。试问： （1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。 （2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。 7、 已知图P1.9所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。 （1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； （2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？ 解：（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故 当UI＝15V时，稳压管中的电流大于最 图P1.9 小稳定电流IZmin，所以 UO＝UZ＝6V 同理，当UI＝35V时，UO＝UZ＝6V。 （2）29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 模拟电子技术第2-4章习题 双极结型三极管可分为 NPN型 和PNP型 ，三个极分别叫基极b，发射极e，集电极c； 双极结型三极管的结构特点是：基区很薄且掺杂浓度很低；发射区和集电区是同类型的杂质半导体，发射区掺杂浓度比集电区高很多，同时集电区的面积比发射区大。 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为前者正偏、后者反偏 ； 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 100 双极结型三极管共射连接时输出特性区域可分为 放大区、截止区、饱和区 当晶体管工作在截