MOS器件物理技巧.pptVIP

有源电阻 1）漏输出，源极交流接地 VGS是固定的，当MOS管的漏源电压大于栅极的过驱动电压时，MOS管工作于饱和区，忽略沟道调制效应时，其阻值为无穷大，但实际阻值应考虑沟道调制效应，可用饱和萨氏方程求出：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　 有源电阻 而当漏源电压小于栅极过驱动电压时，MOS管工作于三极管区，此时的等效输出电阻为： 有源电阻 2）源输出，漏极交流接地 此时栅源电压随输出电压变化，当MOS管工作于饱和区时，其输出电阻为1/gm；而当MOS管工作于三极管区时，其输出电阻值为： 　　 式中的gm为器件跨导，而gd则为器件导纳。且有： 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　 所以此时的输出电阻值较小。 有源电阻 总之，当MOS管在电路中作有源电阻时，一般栅接固定电位（接漏是一种特例），这时根据栅电压大小来判定MOS管的工作区域（饱和区与三极管区），另外，输出的端口是源端或是漏端，其呈现的阻抗也不同。 沟道调制效应 在分析器件的工作原理时已提到：在饱和时沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏之间的电压差的增加而往源极移动，即有效沟道长度L’实际上是VDS的函数。这种由于栅源电压变化引起沟道有效长度改变的效应称为“沟道调制效应”。 记 ， ，λ称为沟道调制系数，当ΔL远小于L时有： 沟道调制效应 在饱和区时，其漏极电流为 调制系数为： 而ΔL为： λ的大小与沟道长度及衬底浓度有关，ND上升则λ下降。考虑沟道调制效应的I/V曲线如下图所示。 沟道调制效应 由上图可以看出： 实际的I/V曲线在饱和时并非是一平行的直线，而是具有一定斜率的斜线。 所有斜线反方向延长与水平轴VDS间有同一交叉点，该点的电压称为厄莱电压VA。 因此在源漏之间是一个非理想的电流源。参数λ反映了沟道调制的深度，且沟道越短，λ越大，表明沟道调制越明显。λ与VA的关系为：λ＝1/VA 。 沟道调制效应 考虑沟道调制效应后MOS管的在饱和区的跨导gm为： 所以沟道调制效应改变了MOS管的I/V特性，进而改变了跨导。 沟道调制效应 不考虑沟道调制效应时，MOS管工作于饱和区时的漏源之间的交流电阻为无穷大，是一理想的电流源。 考虑沟道调制效应后，由于漏电流随漏源电压变化而变化，其值为一有限值。这个电流源的电流值与其电压成线性关系，可以等效为一个连接在漏源之间的电阻，该电阻其实 VDS有关，没有精确解， 但可近似表示为： 沟道调制效应 一般ro也称为MOS管的输出阻抗，它会限制大部分放大器的最大电压增益，影响模拟电路的性能。 对于一个给定的栅源电压，一个较大的沟道长度L可以提供一个更理想的电流源，同时降低了器件的电流能力。因此，为了保证其电流值，应同比例增加W的值。 注：以上各式的推导是基于条件：ΔL远小于L（即长沟道）而得到的，此时才有 的近似线性关系，而对于短沟道器件则上述条件不成立，它会导致饱和ID/VDS特性曲线的斜率可变。 亚阈值效应 亚阈值效应又称为弱反型效应 前面分析MOS管的工作状态时，采用了强反型近似，即假定当MOS管的VGS大于Vth时，表面产生反型，沟道立即形成，而当MOS管的VGS小于Vth时，器件就会突然截止。 亚阈值效应 但MOS管的实际工作状态应用弱反型模型，即当VGS略小于Vth时，MOS管已开始导通，仍会产生一个弱反型层，从而会产生由漏流向源的电流，称为亚阈值导通，而且ID与VGS呈指数关系： 其中ξ1是一非理想的因子；ID0为特征电流： ，m为工艺因子，因此ID0与工艺有关；而VT称为热电压： 。 亚阈值效应 亚阈值工作特点： 在亚阈值区的漏极电流与栅源电压之间呈指数关系，这与双极型晶体管相似。 亚阈值区的跨导为： 由于ξ1，所以gmID/VT，即MOS管的最大跨导比双极型晶体管（IC/VT）小。且ID不变而增大器件宽W可以提高跨导，但ID保持不变的条件是必须降低MOS管的过驱动电压。 亚阈值效应 因此在亚阈值区域， 大器件宽度（存在大的寄生电容）或小的漏极电流的MOS管具有较高的增益。 为了得到亚阈值区的MOS管的大的跨导，其工作速度受限（大的器件尺寸引入了大的寄生电容）。 温度效应 温度效应对MOS管的性能的影响主要体现在阈值电压Vth与载流子迁移率随温度的变化。 阈值电压Vth随温度的变化：以NMOS管为例，阈值电压表达式两边对温度T求导可以得到 温度效应 上式一直为负值，即阈值电压随温度上升而下降。 对于PMOS管则dVth