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一种基于CMOS工艺的集成湿度传感器幸 彭韶华黄庆安秦明 张中平 东南大学MEMs教育部重点实验室南京210096 摘要：本文设计并制备了一个CMOS工艺兼容的集成湿度传感器，湿度传感器与CMOS测量电路 集成在一起，制作加工在同一芯片上．片上集成的湿度传感器为叉指电容式，感湿介质为聚酰亚胺，本 文给出了相应的感湿模型．针对湿度传感器在全量程电容变化量较小，本文采用开关电容电路作为片上 微电容测量电路，讨论了电路的原理并给出了模拟结果．芯片采用3“m多晶硅栅标准CMOS工艺进行 变化到1．56v，且具有较好线性度． 关键词：开关电容电路聚酰亚胺CMOS工艺兼容 1．引言 系统的微型化、集成化和智能化是未来传感器发展的方向【1】。将微结构传感器与周围的接口电路集成在 一起，制作加工在同一芯片上，以实现更多的功能和更高的性能，同时降低传感器的成本，实现系统芯片 (soc)。通过系统集成，传感器和接口电路可以尽可能的接近，从而很大程度地降低寄生参数和外部的干扰。 三明治结构，P+重掺杂区作为电容下极板，多孔金属作为电容上极板，上下极板间夹了层感湿聚合物，环境 中的水汽分子通过多孔上极板进入感湿聚合物，改变聚合物的介电常数，从而引起湿度传感器电容值的变化。 感湿聚合物以及多孔金属在标准CMOS制造中属于非标准工艺，因此在制造完电路后还要添加多步后处理 才能完成片上集成湿度传感器的制作，存在一定的工艺风险。 传感器与处理电路制作在同一块芯片上，实现了传感器与处理电路的片上集成。湿度传感器采用平铺叉指电 容结构，湿敏介质为聚酰亚胺，考虑到湿敏电容全量程变化较小，在几个pf量级，属于微小电容测量，开 关电容电路能提供精确的微电容测量【5】，因此本芯片的片上电路就采用开关电容电路这种形式。并对芯片进 具有较好的直流输出特性。 2．设计 2．1片匕集成湿度传感器结构 图1给出了片上集成湿度传感器芯片的截面图，从图中可以看出芯片的左侧是P阱工艺标准CMOS电 作为固定电容下极板，栅氧化层作为介质，上极板为多晶硅，因为栅氧化层比较薄，一般为几十个纳米，且 均匀性好，这样可以在较小的版图面积上产生较大的固定电容，并且电容值比较精确。图2为湿度传感器铝 层平面结构图，湿度传感器采用铝叉指电容结构，在叉指结构上涂覆了二层聚酰亚胺作为感湿介质，当外界 湿度交化时，感湿膜聚酰亚胺的介电常数发生变化，从而导致叉指电容的变化，通过片上电路可以实现对湿 敏电容的检测，从而获得相应的环境湿度信息。湿度传感器与片上电路集成在一起能大大降低寄生电容，增 强了传感器的抗干扰能力。 ·国家863计划项目(2004AA404030)、国家自然科学基金、江苏省自然科学基金(BK2003052)资助． 473 图1 片上集成湿度传感器芯片截面图 图2湿度传感器铝层平面结构图 2．2感湿模型及有限元模拟 讨论湿敏电容的感湿机理主要是给出聚酰亚胺吸收水分子后体系介电常数的理论公式。本文利用 与相对湿度的关系。Looyenga的有关聚合物和水的混合体系介电常数公式为： r 三 三 三]3 萨I圪(司一日)+辞l (1) L ．1 的经验公式[71： ％=圪妒F)工州n (2) 其中匕是在温度为瓦时固体所能吸附水汽的最大体积比，z=％RH／100，≯(r)代表吸附系数对温度的依赖 程度，根据公式(1)和(2)可以推导出叉指电容的表达式： cP，=丁nelh触．,+了nl占乙P，2—彳厂+—r (3)【jJ ～托P 一 上式中珂是叉指电极和铝电阻条总数，s是聚酰亚胺吸湿后混合体的介电常数，五扫妒是叉指的厚度，即铝