微电子器件第八章噪声特性概要.ppt

第八章 噪声特性 8.1 晶体管的噪声和噪声系数 8.2 晶体管的噪声源 8.3 p-n结二极管的噪声 8.4 双极型晶体管的噪声特性 8.5 JFET与MESFET的噪声特性 8.6 MOSFET的噪声特性 * * 一、信噪比 二、噪声系数 §8.1 晶体管的噪声和噪声系数 信号，噪声 噪声限制了晶体管放大微弱信号的能力。 噪声叠加在不同的信号上将产生不同程度的影响 为了衡量噪声对信号影响程度而定义信噪比 晶体管本身产生噪声，因此其工作时，输入、输出端信噪比不同。定义噪声系数反映晶体管本身产生噪声的大小。 噪声系数可看作： 单位功率增益下，晶体管噪声功率的放大系数。即晶体管无功率放大作用时，噪声功率增大的倍数， 总输出噪声功率与被放大的信号源噪声功率之比。 噪声系数越接近于1，晶体管噪声水平越低 噪声系数也可用分贝表示 晶体管自身噪声相当大。例3AG47, NF6db, F=4 输出噪声功率中75%来自于晶体管本身。 §8.2 晶体管的噪声源 一、热噪声(Thermal noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 载流子的无规则热运动叠加在规则的运动上形成热噪声 也称约翰逊噪声(Johnson noise) 任何电子元件均有热噪声 热噪声与温度有关——温度升高，热运动加剧 热噪声与电阻有关——载流子运动本身是电流，电阻大，电压高 载流子热运动为随机过程，平均值为零，用统计值——均方值表示 频谱密度与频率无关的噪声称为白噪声，热噪声是白噪声 §8.2 晶体管的噪声源 一、热噪声(Thermal noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 尼奎斯公式 (Nyquist) 其中，ith—短路噪声电流 uth—开路噪声电压 单位频率间隔内的噪声强度称为噪声的频谱密度 噪声电压的功率谱密度 噪声电流的功率谱密度 热噪声等效电路 尼奎斯公式条件： 1、电子与晶格处于热平衡状态 2、电子的能量分布服从波尔兹曼分布 电场较强时，高能态电子数增多，可近似 1、用电子温度取代平衡温度 2、用随电场强度变化的微分迁移率代替常数迁移率 对尼奎斯公式修正，得增强约翰逊噪声 多能谷结构材料中的谷间散射噪声 §8.2 晶体管的噪声源 二、散粒噪声(shot noise) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 1918年肖特基发现于电子管中，起源于电子管阴极发射电子数目的无规则起伏。 在半导体中，散粒噪声通常指由于载流子的产生、复合的涨落使越过p-n结势垒的载流子数目起伏所引起的噪声。 其功率谱密度与频率无关，也属白噪声。 ~ r0（无噪声) r0（无噪声) §8.2 晶体管的噪声源 三、闪烁噪声（Flicker Noise） (1/f 噪声) 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 由于其功率谱密度近似与频率成反比，也称1/f噪声。 出现在106Hz的频率范围，普通硅平面管中，在103Hz以下明显 产生原因可能与晶体结构的不完整性和表面稳定性有关。 晶格缺陷、位错、高浓度P、B扩散造成晶体压缩应变等 表面能级、界面热应力诱发缺陷、界面处带电粒子移动以及表面反型层的产生或变化。 产生-复合机构引起的产生-复合过程 §8.2 晶体管的噪声源 四、产生-复合噪声（Generation Recombination Noise） 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 另外还有： 在一定物理条件下，半导体内的载流子浓度虽有一定的平均值，但由于载流子的产生和复合都是随机过程，所以材料内各处的载流子浓度以及整个器件的载流子数均围绕其平均值有起伏存在。器件中载流子浓度及数量的起伏导致其电导率的起伏，当该半导体器件外加偏压后，必引起器件内电流及电压也存在起伏，此即产生-复合噪声，或写为G-R噪声。 §8.2 晶体管的噪声源 五、配分噪声（Partition Noise） 已知晶体管中的基本噪声机构有三种：热噪声、散粒噪声和1/f噪声 另外还有： 六、猝发噪声（Burst Noise） 源于电子管中电子束在两个以上电极间的分离。双极型晶体管发射极电流在基区中分离为集电极电流和基极电流，有一个由空穴-电子复合作用而定的电流分配系数。复合现象受到热起伏效应的影响使分配系数不恒定，其微小变化引起集电极电流的起伏，这就是晶体管的配分噪声。 表现为双极型晶体管基极