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微电子工程学 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 薄膜制备及刻蚀技术是微电子工程的工艺基础--精细和超精细加工技术的主要内容之一。在微电子工业中，通常将电路图形的最小线条宽度的微米级的加工技术称为“精细加工技术”，而将亚微米级的加工技术称为“超精细加工技术”。精细和超精细加工技术是一套完整的加工技术，除了薄膜制备及刻蚀技术外，还包括图形加工技术和精密控制掺杂技术。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 微电子工程中的薄膜，是指在器件加工制作过程中，在硅片表面生长或淀积的外延膜、各种绝缘薄膜和金属薄膜。 外延膜是构成电路内部机构的必要组成部分。 绝缘膜不仅对电路可起到钝化和保护作用，更主要的是它在电路芯片制作过程中起重要作用。一方面，它起到掩蔽刻蚀的作用（因为电路的光刻图形实际上大多是在绝缘膜上形成的），使得下一道工序可以有选择地对晶片上不同的区域进行处理。另一方面，它起到良好的绝缘作用，比如使电路的多层布线和金属层之间不致相互短路。 金属薄膜是为了电路中各单元或各元器件之间互连的需要而引入的。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 薄膜的质量和厚度能否予以精密控制，将直接影响到电路的质量，对大规模集成电路来说，还影响到能否获得微细图形。 薄膜制备技术既包括传统应用的各种绝缘膜的热生长技术，也包括在基片上应用化学汽相淀积薄膜的新技术（简称CVD技术）。此外，为了适应超大规模集成电路的集成度不断提高的需要，人们正在开发新的、能够精密控制的离子束和分子束外延技术，以及离子注入成膜技术。本章主要介绍微电子工艺中常用的薄膜，包括氧化膜、保护膜和互连用膜基本的制备及刻蚀方法。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 3.1.2 保护膜及掩膜 3.1.3 互连及欧姆接触用膜 3.2薄膜的刻蚀 3.2.1 湿法化学腐蚀 3.2.2 等离子腐蚀 3.2.3 等离子辅助腐蚀 3.2.4 清洗 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 硅表面总是覆盖着一层二氧化硅，即使刚刚解理的硅也是如此，在空气中一暴露，就覆盖上几个原子层的氧化膜（15－20埃），然后逐渐增厚，可达4纳米左右。硅集成电路制作中所需的氧化膜比这厚得多。这时硅片在氧化气氛中高温生长一层氧化膜。本节叙述这种氧化物的性质以及杂质对这些性质的影响，然后讨论生长动力学及生长方法，并概述这种氧化层的掩蔽特性和其它重要的性质。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 热生长二氧化硅的一个重要性质是它能够连接表面悬挂键而降低硅的表面态密度。此外，氧化硅生长时可以很好地控制界面陷阱和固定电荷。由于有这些性质，这种氧化膜能控制面结型器件的漏电流，能用作场效应器件稳定的栅氧化膜，是现代硅集成电路的基础。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 1. 本征氧化硅玻璃 2. 掺杂氧化硅玻璃 3. 氧化物的生成 4. 氧化物生长动力学 5. 氧化系统 6. 卤化物氧化系统 7. 氧化诱生的层错 8. 硅热氧化膜的性质 9. 氧化膜检验 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 1. 本征氧化硅玻璃 本征氧化硅玻璃由熔融二氧化硅组成，熔点1732℃。它在1710℃以下是热力学不稳定的，趋向于回到晶态，但在1000℃以下，这种反玻璃化过程的速率一般很低。 玻璃态纯二氧化硅的结构模型由二氧化硅的随机三维网络组成，而这些网络又是氧离子的多面体（四面体或三角形）所构成，Si＋4占据多面体的中心。硅离子与氧离子之间的四面体距离为1.62埃，而氧离子之间的距离为2.27埃。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 1. 本征氧化硅玻璃 氧化硅多面体通过桥键氧原子互相连接，每一个桥键氧原子同时属于这两个多面体。在石英晶体中，所有这类氧离子都起这种作用，而多面体所有顶点都通过这些氧离子和其最近邻多面体相连接。但在熔融石英和氧化硅玻璃中，多面体的某些顶点上挂着非桥键氧离子，它只属于一个多面体。因此多面体之间以及整个网络的结合程度与桥键氧离子和非桥键氧离子数目之比有关。 第3章 微电子工程中的薄膜制备及刻蚀 3.1 薄膜制备 3.1.1 硅的氧化膜 1. 本征氧化硅玻璃 在纯二氧化硅玻璃中，硅原子的运动要打断4个Si-O键，而桥键氧原子的运动只需打断2个Si-O键。因此，在二氧化硅玻璃中氧原子容易运动。氧原子离开其多面体位