晶体管原理-B21答案.ppt

第三章 双极结型晶体管 第二节 晶体管的频率特性 第三章 双极结型晶体管 小信号电流的四个阶段变化： 定义:输出端对高频小信号短路（vcb=0，但VCB0）条件下的共基极高频小信号短路电流放大系数为-- (2)渡越时间的分散使得 减少 基区少子高频小信号电荷控制方程: 少子从发射结注入基区后，经过 的时间后能达到和定态一样的分布。在延迟时间 内，集电结还取不到少子电流。 超相移因子或剩余相因子 m物理意义:发射极电流的变化，不能立即反映为集电极电流的变化，必须经过 的相位滞后，集电极电流才会变化,其后的相位滞后才由基区渡越时间所引起。m就是由基区渡越时间所引起的相移之外再附加部分因子。 4) 在复平面上的表示 5)缓变基区晶体管的 高频小信号电流放大系数与频率的关系 2)发射结扩散电容充放电时间常数 3)集电结势垒区延迟/渡越时间 4)集电极延迟时间常数 ——集电结势垒电容充放电时间常数 5) 共基极高频小信号短路电流放大系数与截止频率 极低频或直流小信号共发射极短路电流放大系数、或共发射极增量电流放大系数 （２）晶体管的特征频率 （3）电流对 fT 的影响 晶体管的高频参数与等效电路 将晶体管等效为一个线性二端口网络如下图: 5. 高频功率增益和最高振荡频率 第三节 晶体管的功率特性 4）注入水准对电流放大系数的影响 有效基区扩展效应 ---- 大电流下，晶体管的有效基区宽度随注入电流的增加而扩展的现象，也称为克尔克（Kirk）效应。 2）强电场下的基区纵向扩散 3）弱电场下的基区纵向扩展 4）基区扩展对 的影响 3. 发射结电流集边效应 4)发射极单位长度的电流容量—单位发射极长度内不发生大注入效应和基区扩展效应的最大电流。记为i0 第四节 晶体管的开关特性 晶体管的静态特性/直流开关特性 1) 延迟时间 2）上升过程 3）存储时间ts 在存储时间期间，QC满足以下的微分方程，即 提高开关速度的措施 在电流密度下JC，N-区域上未耗尽区d1上的压降 V1为: 弱电场下的临界(pn结电压为零)电流密度为： 集电结正偏， 主要降在 区域内的电阻上 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 条件:VCB较低,WC较大 N- 当JCLJCH 时 基区纵向扩展时，基区集电结势垒区边上的少子浓度已经很高，必须向周围非工作基区扩散，使基区有效面积变大。 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 基区横向扩展： 晶体管工作在大电流状态时，较大的基极电流流过基极电阻，将在基区中产生较大的横向压降，使发射结正向偏置电压从边缘到中心逐渐减小，发射极电流密度则由中心到边缘逐渐增大 。 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 1)集边效应 ①基极电流IB(y)在dy段电阻上产生的压降为： 集电结零偏时发射极电流： 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 设发射极条很宽,有边界条件: ②IB(y)的表达式： ③ 其中: 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 大注入时 电流集边效应使工作基区局限在发射结边缘下面,基极电流流经的路程缩短,因此基极电阻将减小. 2)发射极有效条宽 3)电流集边效应对 及rbb’的影响 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 (1)要防止大注入效应的 开关管i05A/cm; 一般放大管i0:0.5～1.5A/cm; 线性放大管i00.5A/cm (2)对于高频大功率外延管 高频大功率管i0:～0.4A/cm 5) 发射极金属条最大长度 晶体管的热学性质 *大功率管输出功率受两方面限制：a.电学参数 b.热学参数 1) 耗散功率 晶体管工作时，电流通过发射结、集电结、体串联电阻都会产生功率耗散,总耗散功率： 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 电路输出功率： ：转换效率，主要决定于管子在电路中工作情况 * 结温 升高，使反向饱和电流 、 ，pn结正向电压 ，会使管击穿 2) 结温与热阻 最高结温 ：晶体管能正常、长期可靠工作的pn结温度。 第三章 双极结型晶体管 -- Ш.晶体管的功率特性 单位时间内从集电结传导到周围环境的热能ＰＴd与温差成正比： 类同电路中欧姆定律 最大允许耗散功率： 热平衡时单位时间内