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5) 共基极高频小信号短路电流放大系数与截止频率 极低频或直流小信号共发射极短路电流放大系数、或共发射极增量电流放大系数 (2)晶体管的特征频率 (3)电流对 fT 的影响 晶体管的高频参数与等效电路 将晶体管等效为一个线性二端口网络如下图: 5. 高频功率增益和最高振荡频率 第三节 晶体管的功率特性 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.04.17 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 为极低频或直流小信号共基极短路电流放大系数,或共基极增量电流放大系数。 (1)信号延迟时间τec 定义:载流子从流入发射极开始到从集电极流出为止总渡越时间。 (2) 截止角频率 、截止频率 (下降了3dB)时的角频率 、频率分别称为截止角频率、 截止频率。 定义: 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 6) 共发射极高频小信号电流放大系数与特征频率 (1)定义:集电结对高频小信号短路(vbc=0, VBC0)条件下的 ic与ib 之比为共射极高频小信号短路电流放大系数 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 下降到 (下降3dB)时的角频率、频率分别称为 的截止角频率、截止频率. * 截止角频率 、与截止频率 定义: 又 , 即: 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 500MHz时,Wb较大, 各项中 为主,则 500MHz时,Wb较小, 只占 中很小一部分,可忽略 比 截止频率低的多 增一倍 降一半,或改变10lg2-1=-3dB ,功率正比于电 (倍频程) 流的平方,则功率增益降1/4,或改变20lg2-1=-6dB 时的频率,称晶体管的特征频率fT 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 f fβ时, 与f 无关 高频晶体管的工作频率一般在 的范围 此时, 又称为增益带宽积,与 无关。 f fβ时, 其中, ,IE 或 IC , fT , IE 或IC 很大时,τe 的 影响很小,可略去;大注入时,基区扩展,τb 增加更多,集电结势垒区减小,势垒区延迟 τd 减小的少一些,故 IC 很大时,fT 随 IC 增加而下降。 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 (4)提高特征频率的途径 ? 一般高频管中,四个时间常数以 最长,减小 是提高的主要途径 减小 减小 减小 当晶体管用于小信号高频放大时,小信号电流、电压之间的关系是线性方程,其系数不随信号大小变化的常数,这些系数称为电路参数。选取自变量不同,描述各变量间关系的方程形式就不同,电路参数也不同。 第三章 双极结型晶体管 --2.晶体管的频率特性 利用电荷控制方程,可以得出用振幅表示的共基极高频小信号电流电压方程为: --表示发射结扩散电容和势垒电容并联 :集电极增量输出电阻 --晶体管的转移电导,跨导,表示集电极电流受发射结电压变化的影响。 第三章 双极结型晶体管 --2.晶体管的频率特性 1 C rES CTE CDe Y12VC Y21Ve CDC CTC rCS 本征Y参数等效电路 共基极Y参数等效电路 功率增益 :晶体管对信号功率的放大能力. 最高振荡频率 :晶体管对信号功率放大能力的极限. 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 1)最大功率增益 接有负载阻抗ZL的共射极高频等效电路图 B Ib rbb’ B’ re E ZL C CTC Ic 最大输出功率: 输入功率: Pin=rbb’ ×Ib2 最大功率增益: 2)最高振荡频率 晶体管的高频优值 : 与频率平方的积 第三章 双极结型晶体管 -- Ⅱ.晶体管的频率特性 : 下降到1时的频率 频率达几千兆赫以上时,要加入管壳寄生参量的影响,主要的是发射极引线电感 的作用. 3) 提高频率增益的途径 (1)提高 fT 2) 减
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