表面电子态的计算方法总结.pptVIP

表面电子态的计算方法 * 表面态是局域于固体自由表面或固体间接口附近的电子能态。由于固体表面原子结构不同于体内原子结构，使得表面能级既不同于固体体能带，也不同于孤立原子能级。半导体表面通常位于基本禁带中或禁带边缘附近，电子波函数在表面向内、向外都是衰减的。 对于具有表面的半无限晶体，暂且假定体内的晶体势并无改变，仅在界面处突然中断（如图1所示），此时求解电子态能级步骤如下：在晶体占有的半无限空间Ⅰ，寻找满足晶体势V(x)的薛定谔方程的解 ，在真空的半无限空间Ⅱ，寻找常数势V0的薛定谔方程的解 边界条件为交界处 和 的值和微商值相等。由此定出能量和波函数。由于是在半无限空间，若将k分解成平行和垂直于表面的两部分，即k=k//+kz，kz可以是复数波矢，相当于晶体体内衰减解。 * （Ⅰ） （Ⅱ） (a) (b) V0 z 图1 近似地认为晶体中周期势一直延伸到表面 (a)无限晶体中周期势场V(x)；（b)半无限晶体 * Tamm在1932年就根据上述想法指出，由于表面的存在，故可能引入附加的表面态，它局域在表面附近而向体内衰减，表面态能量可以在无限晶体的禁带以内。由上面可知，通常对于三维无限晶体，只要求实数波矢k所对应的能量和波函数，而对于具有表面的晶体，复数波矢所对应的能量和波函数也可能是有意义的，我们称之为复数能带结构。而表面电子态归结为寻找复波矢波函数中能和真空波函数衔接起来的那些波函数和对应的能量。 * 1935年，Maue利用准自由电子模型，用傅里叶级数展开晶体势函数，取波函数及其一阶导数在表面处连续的条件，证明波矢k取复数时在晶带中有表面态存在条件。 1939年Shockley给出了关于表面态形成的分析。他考虑具有两个终端的一维有限链晶体的电子态，并根据原子间距大小提出表面态存在条件。从图2中看到,有两个能态从体内能带中分裂出来，对应两个终端有两个表面态。Shockley的研究表明，只有较低态是s态时才产生这样的表面态。这种表面态称为Shockley态。它是由表面原子出现悬挂键而产生的本征表面态。 1939年Goodvain用紧束缚模型，用原子轨道线性组合法（LCAO），同样由求解久期矩阵，得到表面态存在于能带的结论。 * E 原子间距 图2 表面态的形成过程 * 1949年Bardeen发现，可以用一种电解质对半导体表面加电场来控制载流子。他们研究半导体锗的表面性质，把一只锗二极管浸在电解液里，并接上直流电源，发现有一部分电流是由锗表面附近的空穴流动而形成的。他们企图改进场效应的响应时间，却出乎意料地发现了晶体管效应。他们采用两根细金属丝与锗片的表面接触，两根丝分隔的距离很小时（0.005cm左右）发现一根丝与锗片之间有微小的电流变化，这就是晶体管的放大作用。由此他们发明了三极管，标志着现代电子技术的第二次飞跃。同时Bardeen提出了费米能级钉扎的概念。认为在半导体表面存在一些能级处理禁带中的本征表面态。它是半导体的费米能级在表面处钉扎在这些能级位置上，因而势垒在与金属接触前已经形成。不同功函数的金属与半导体接触不会明显改变势垒高度，这就是Bardeen模型。 * 1948年，Shockley和Pearson为验证Bardeen的假说设计了世界上最早的场效应实验装置.证明在表面电场的作用下，表面空间电荷的一部分会发生移动，但大部分不动，原因是这些电荷“陷阱”了表面态。 1957~1960年间，库特基和Tomasck等人用线性组合法（LCAO）较有成效地处理了理想晶体表面的各种局域态，发现肖克莱型表面态形成能带，其宽度很窄（0.2eV左右）.当表面势微扰相当强烈时表面态形成的能带会移到禁带中央以下。 1964年Pugh也采用线性组合法，完成了紧束缚模型的计算。计入了第一、二、三层近邻原子势的微扰作用，得到了金刚石（111）表面态能带的E~K 关系，并计算了这种位于禁带中央附近的表面态能带态密度。发现表面态非常集中，在极窄的带宽中的状态占总数的90%以上。 * 自洽赝势方法 Appelbaum等对表面电子态的计算迈出了很重要的一步。他们采用了能很成功地计算体内能带的赝势方程，而且对表面势作了自洽计算。图1显示的表面势为早期的模型，相当于体内的晶体势延伸到表面然后在界面处突然中断而代之以真空中的常数势。既然势V的一部分来自电子相互作用，表面电子态与体内的不用必然引起表面势与体内的也有所不同。表面部分的势V和电子波函数 通过薛定谔方程和泊松方程联立自洽地求解出来。通常采用自洽迭代的办法求出。这只有在现代大型计算机的条件下才可能实现。 因此，求解表面电子态的问题归结为两个方面：一是从已知近似的表面电子波函数和体内晶体势，求表面势V(r)。二是已知表面势V(r)，求表面电子波函数。由于表面势