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半导体硅片双面超精密化学机械抛光的研究.pdf
2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海
半导体硅片双面超精密化学机械抛光
的研究
张楷亮宋志棠钟曼郑鸣捷刘卫丽封松林
(中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜材料工程技术研究中心
信息功能材料国家重点实验室200050上海)
董尧德汪贵发楼春兰
(万象硅峰电子股份有限公司，324300，浙江)
摘要：为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率，在分析双抛工艺过程基础上，采用自制
大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030一I型新型纳米抛光液，在双垫双抛机台上进
行抛光试验。抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE一9520型晶片表面
光液不仅提高抛光速率40％(14微米／d,时VS10微米／d,时)；而且表面平坦性TTV和
TIR得到改善；表面粗糙度由0．4728nm降至0．2874nm，即提高抛光速率同时显著改善了
抛光表面平坦性和粗糙度。
关键词：硅晶片，双面抛光，化学机械抛光，抛光液
ondoublesidefineCMPofSiliconwaferforSemiconductor
Study
ZhangKailiang，SongZhitang，ZhongMin，ZhengMingjie，LiuWeili，FengSonglin
Instituteof andInformation
(Shanghai Microsystem
Chunlan
Guifa，Lou
DongYaode，Wang
Silicon—PeakElectronics
(Wanxiang Co．，LTD．，Zhejiang，324300)
Abstract：Basedonthe ofdoublesidefineCMP of
analysis process，new slurry
typepolishing
namedSIMIT8030--1wasfirst inorderto the ratefordoubleside
prepared improvepolishing
fineCMP，whichcontmnedcolloidalsilicallano—abrasiveswith tests
largeparticle．Polishing
were withthedoubleside the thesizeof
performed polisher,andpropertiesincluding abrasives，
and werecharacterized
TIR)and SEM，wafer
thickness，planarization(TTVroughness by
thicknessmeasurements andSOon．Resultsshow with
ADE一9520，AFM that
comparing
Nac012350 ratewa
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